DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
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ICS29.045
H80 DB65
新疆维吾尔自治区地方标准
DB65/T3485-2013
太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
Minority carrier lifetime measurement methods for Solar-grade casting muti-crystalline brick
2013-10-20发布2013-12-01实施
新疆维吾尔自治区质量技术监督局发布
前言
本标准按照GB/T1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则编写。
本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司提出。
本标准由新疆维吾尔自治区机械电子工业行业管理办公室归口。
本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司、新疆维吾尔自治区标准化研究院负责起草。
本标准主要起草人：许琴、昝武、熊金杰、丁宝林、哈丽旦·艾比布拉、胡小明。
本标准为首次发布。
内容摘抄：
太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
1范围
本标准规定了太阳能级多晶硅块少数载流子寿命的测量方法。
本标准适用于太阳能级多品硅块少数载流子寿命的微波光电导非接触在线测试，本标准也适用于单品硅片、多晶硅片、单晶硅棒的少数载流子寿命测试。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T14264半导体材料术语
GB/T26068硅片载流子复合券命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T29054太阳能级铸造多晶硅块
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
寿命lifetime
晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e(e=2.718)所需的时间，又称少数载流子券命，体寿命。
非平衡载流子券命等于非平衡载流子扩散长度的平方除扩散系数所得商，而扩散系数是设定的或有载流子迁移率测量确定的，寿命符号是π，单位μS。
[GB/T14264-2009,定义3.140]
3.2
损伤damage
一种晶格缺陷，是一种不可逆转的形变，因室温下没有后续热处理时的表面机械加工引起，像切制，磨削，滚圆，喷砂，以及撞击造成。
[GB/T14264-2009,定义3.53]
3.3
GRR量具的重复性和复现性Gauge Repeatabi lity and Reproducibility
表示量测的重复性与再生性，国际上多个实验室所建立I0C-88的实验。
[GB/T14264-2009,定义B.24]
4方法提要
4.1微波光电导衰减法
本标准采用微波光电导衰减法(Microwave photoconductivity decay)测试硅块中的少数载流子寿命。主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化两个过程。波长904m的激光注入（对于硅，注入深度约30u)产生电子-空穴对，导致样品电导率增加。当撤去外界光注入时，电导率随时间呈指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势即可得到少数载流子的寿命。
4.2少数载流子寿命计算
少数载流子寿命计算，是用微波反射光电导衰减法，采用红外脉冲激光照射硅块，在其内部产生大量非平衡载流子，撤去激光激发后，采用微波反射信号测得非平衡载流子的复合规律，分析得到的微波反射信号的衰减规律，进而计算出非平衡载流子寿命。
（略）
内容索引：
目次
前言II
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义...1
4方法提要2
5干扰因素2
6测量仪器3
7试样要求4
8仪器校准5
9测试程序5
10测试少数载流子寿命表达式5
11测量系统精密度...6
12试验报告6