ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T19921—2018 代替GB/T199212005 硅抛光片表面颗粒测试方法 Test method for particles on polished silicon wafer surfaces 2018-12-28发布 2019-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T19921-2018 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义1 4方法提要 4 5干扰因素 6设备 .....7 7测试环境 7 8参考样片 ...............8 9校准 .8 10测试步骤 ..9 11精密度 9 12试验报告 9 附录A(规范性附录)针对130nm~11nm线宽技术用硅片的扫描表面检查系统的要求指南11 附录B(规范性附录)测定扫描表面检查系统XY坐标不确定性的方法18 附录C(规范性附录)采用覆盖法确定扫描表面检查系统俘获率和虚假计数率的测试方法20 I GB/T19921-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T19921一2005《硅抛光片表面颗粒测试方法》，与GB/T19921一2005相比，除编 辑性修改外主要技术变化如下： ——修改了适用范围（见第1章，2005年版第1章）. —规范性引用文件中删除了ASTM F1620-1996、ASTM F1621-1996和SEMI M1-0302 增加了 GB/T6624、GB/T12964、GB/T12965、GB/T14264、GB/T25915.1、GB/T29506、SEMI M35、SEMI M52、SEMI M53及SEMI M58(见第2章，2005年版第2章). —术语和定义中删除了分布图、亮点缺陷、漏报的计数、微粗糙度、重复性、再现性、划痕，增加了 晶体原生凹坑、虚假计数率、累计虚假计数率、变化率水平、静态方法、动态方法、匹配公差、标 准机械接口系统的定义，并根据GB/T14264修改了部分已有术语的定义（见第3章，2005年 版第3章). 一方法提要中增加了关于局部光散射体、延伸光散射体及晶体原生凹坑、雾的测试原理（见4.1、 4.3、4.4、4.5). —根据测试方法使用情况，增加了影响测试结果的干扰因素（见5.2、5.4、5.10、5.12、5.13、5.14、 5.16、5.19、5.20、5.21、5.23). ——修改了测试设备，明确分为晶片夹持装载系统、激光扫描及信号收集系统、数据分析、处理、传 输系统、操作系统和机械系统（见第6章，2005年版第6章）. 一增加了“测试环境”，将原标准方法概述中对环境的描述列为第7章条款（见第7章，2005年版 第4章). 参考样片中增加了关于“凹坑”和“划伤”参考样片的内容（见8.10、8.11）. —将“除上述沉积聚苯乙烯乳胶球的参考样片外，有条件的用户可选择对扫描表面检查系统的定 位准确性能力进行测定的参考样片.详见ASTM F121-96中第8章参考样片”修改为“应选 择具有有效证书的样片作为参考样片，参考样片应符合SEMI M53中的规定”（见8.1 2005年 版7.9). 一细化了使用参考样片校准扫描表面检查系统的程序...
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