ICS 77.040 H 21 中华人民共和国国家标准 GB/T 19921-2018 代替GB/T19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法 Testmethod for particles on polished silicon wafer surfaces 2018-12-28发布 2019-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T19921-2018 目次 1范围. 2规范性引用文件 3术语和定义 4方法提要 5干扰因素 6设备 7测试环境 8参考样片 8 校准 8 10 测试步骤 9 II 精密度.. 12试验报告 6 附录A（规范性附录）针对130nm～11nm线宽技术用硅片的扫描表面检查系统的要求指南 附录B（规范性附录）测定扫描表面检查系统XY坐标不确定性的方法 18 附录C（规范性附录）采用覆盖法确定扫描表面检查系统俘获率和虚假计数率的测试方法20
GB/T 19921-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
辑性修改外主要技术变化如下： 修改了适用范围（见第1章，2005年版第1章）。
规范性引I用文件中删除了ASTMF1620-1996、ASTMF1621-1996和SEMIM1-0302，增加了 GB/T 6624、GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14264、GB/T 25915.1、GB/T 29506、SEMI M35、SEMIM52、SEMIM53及SEMIM58（见第2章，2005年版第2章）。
一术语和定义中删除了分布图、亮点缺陷、漏报的计数、微粗糙度、重复性、再现性、划痕，增加了 晶体原生凹坑、虚假计数率、累计虚假计数率、变化率水平、静态方法、动态方法、匹配公差、标 准机械接口系统的定义，并根据GB/T14264修改了部分已有术语的定义（见第3章，2005年 版第3章）。
一方法提要中增加了关于局部光散射体、延伸光散射体及晶体原生凹坑、雾的测试原理（见4.1、 4.3、4.4、4.5)。
根据测试方法使用情况，增加了影响测试结果的干扰因素（见5.2、5.4、5.10、5.12、5.13、5.14、 5.16、5.19、5.20、5.21、5.23)。
修改了测试设备，明确分为晶片夹持装载系统、激光扫描及信号收集系统、数据分析、处理、传 输系统、操作系统和机械系统（见第6章，2005年版第6章）。
-增加了“测试环境”，将原标准方法概述中对环境的描述列为第7章条款（见第7章，2005年版 第4章)。
一参考样片中增加了关于“凹坑"和"划伤"参考样片的内容（见8.10、8.11）。
一将“除上述沉积聚苯乙烯乳胶球的参考样片外，有条件的用户可选择对扫描表面检查系统的定 位准确性能力进行测定的参考样片。
详见ASTMF121-96中第8章参考样片”修改为“应选 择具有有效证书的样片作为参考样片，参考样片应符合SEMIM53中的规定”（见8.1，2005年 版7.9)。
细化了使用参考样片校准扫描表面检查系统的程序（9.2)，增加了9.3中通过重复校准来确认 系统的稳定性的要求；增加了9.4中的"在静态或动态方法条件下，测试确定扫描表面检查系 统的XY坐标不确定性”的要求；增加了9.5"对扫描表面检查系统的虚假计数进行评估，获得 测试系统的俘获率、乳胶球尺寸的标准偏差、虚假计数率和累计虚假计数率”的要求；在9.6中 并进行匹配公差计算”；增加了9.7"推荐使用8.10、8.11中的凹坑或划伤尺寸的参考样片来规 范晶片表面的凹坑及划伤。
也可将相关的标准模型保存在扫描表面检查系统的软件中”的内 容（见第9章，2005年版第8章）。
根据试验结果修改了精密度的内容（第11章，2005年版第11章）。
增加了规范性附录A、规范性附录B、规范性附录C（见附录A、附录B、附录C)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
GB/T19921-2018 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限 公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人：孙燕、刘卓、冯泉林、徐新华、张海英、骆红、刘义、杨素心、张雪图。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T19921-2005
GB/T 19921-2018 硅抛光片表面颗粒测试方法 1范围 本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试， ...
