ICS29.045 CCS H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T35307-2023 代替GB/T35307-2017 流化床法颗粒硅 Granular polysilicon produced by fluidized bed method 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会
GB/T35307-2023 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。
本文件代替GB/T35307-2017《流化床法颗粒硅》，与GB/T35307-2017相比，除结构调整和编 辑性改动外，主要技术变化如下： a）更改了范围（见第1章，2017年版的第1章）； b）更改了颗粒硅的牌号表示方法（见第4章，2017年版的4.1)； c）更改了颗粒硅的技术指标要求（见5.1，2017年版的4.2）； d）更改了特级品颗粒硅的粒径要求（见5.2.1,2017年版的4.3.1)； f）更改了颗粒硅碳含量的测试方法（见6.3，2017年版的5.3）； g）更改了颗粒硅氢含量的测试方法（见6.4，2017年版的5.4)； h）更改了颗粒硅粒径的测试方法（见6.6，2017年版的5.6）； i）更改了取样方法（见7.4.1，2017年版的6.4.1）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、有色 金属技术经济研究院有限责任公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、上海赛夫特半 导体材料有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、乐山协鑫新能源科技有限公司、宜昌南玻硅材料有 限公司。
本文件主要起草人：朱共山、兰天石、蒋立民、贺东江、王彬、李素青、徐梦、徐岩、李朋飞、刘辉、付绪光、 秦榕、刘晓霞、宗冰、王永亮、谢岩、田洪先、刘文明。
本文件于2017年首次发布，本次为第一次修订。
GB/T35307-2023 流化床法颗粒硅 1范围 本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随 行文件及订货单内容。
本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅（以下简称颗粒硅)。
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件。
GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 GB/T24581硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 GB/T35306硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T35309用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程 GB/T40566流化床法颗粒硅氢含量的测定脉冲加热情性气体熔融红外吸收法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4牌号 颗粒硅的牌号表示应符合GB/T14844的规定。
5技术要求 5.1技术指标 颗粒硅的等级及相关的技术指标应符合表1的规定。
GB/T 35307-2023 表1技术指标 技术指标 项目 特级品 1级品 2级品 3级品 施主杂质含量（P、As、Sb，以原子数计） ≤1.5×10 ≤3.5×10 ≤5.0×10 ≤7.0×10 cm~ 受主杂质含量（B、A1，以原子数计） ≤9.0×10" ≤1.2×10 ≤2.5×10 ≤6.6X10 cm" 碳含量（以原子数计） ≤1.5×10 ≤2.5×101s ≤4.0×10 ≤5.0×10 cm~ 氢含量 25 30 3 μg/g 总金属杂质含量 (Fe、Cr、Ni、Cu、Na、K、Zn、Ti、Mo、W、Co) ≤13 3 ng/g 5.2粒径 5.2.1特级品颗粒硅中粒径小于300μm的颗粒硅重量占比应小于0.5%，粒径大于4000μm的颗粒 硅重量占比应小于5%。
5.2.21级品、2级品、3级品颗粒硅的粒径分布应符合下列要求： a）小于150μm的颗粒硅重量占比应小于5%； b）150μm~4000μm的颗粒硅重量占比应大于90%； c）大于4000μm的颗粒硅重量占比应小于5%。
5.3表面质...
