第19章-半导体工厂施工组织设计.doc

19.1.1 工程简介
本项目工程名称为××半导体有限公司第2.5代TFT生产线新建工程。其中主厂房为三层结构，中间区域为生产用洁净厂房，两侧为辅助区域，结构形式为框架结构。其他厂房还包括造排水栋、动力栋和其他辅助建筑。
本项目工期要求为××年×月×日具备工艺设备搬入条件。工作量大，工期紧张且工作强度相对较大，项目材料和设备要求较高，对项目承包商的能力和施工策划提出较高的要求。
xx半导体有限公司是香港xx国际控股有限公司的全资子公司，成立于19xx年，在中国广东省注册，注册资金为xxxx万美元。公司总部设在香港，生产基地位于中国广东省xx市。在国内有70%的产品销售权。是一家知名的电子产品、半导体产品开发、生产和销售的香港上市公司。
TFT面板项目由xx半导体有限公司投资，投资总额约x亿美金。建厂费用占总投资额的14.5%,约人民币x.x亿元。本项目产品为第2.5代TFT-LCD面板，由阵列和成盒两道工序组成，基板玻璃尺寸为550毫米×650毫米，月投片量为xxK，主要产品为手机使用的彩色TFT显示屏。
本项目位于广东省xx市xx工业园区内，北临xx路，南靠工业大道，用地面积为14万多m2 。本项目主要由生产主厂房、动力站、纯水站、大宗气体站、废水站、特殊药品仓库等组成。其中主厂房洁净面积共一万两千平方米，洁净级别主要为十级、百级和千级。
19.1.2产品的工作原理及工艺流程：
（1）产品工作原理
液晶显示屏是透过硅玻璃上的电路形成电场，来驱动玻璃与滤光片间的液晶分子，在自然状态下呈并列平行排列，当电路对液晶层施加电场，液晶分子会朝不同的方向偏转，这时液晶类似于开关作用可以让光线通过，令液晶层形成不同的透光效果，从而达到显示不同画面的目的。
（2）工艺流程：
阵列工艺流程：玻璃基板投入→基板清洗→栅极金属溅射→栅极光刻→n+α-硅/α-硅/氮化硅层淀积→α-硅光刻→ITO膜溅射→ITO膜光刻→源/漏级金属溅射→源/漏级金属光刻→n+α-硅反刻→氮化硅淀积→绝缘层刻蚀→退火→检查
成盒工艺流程：投入阵列和滤光玻璃基板→配向膜印刷→框胶图敷、垫料→滴入液晶→真空贴合→盒分割→贴偏光片→检查
19.1.3工程特点及主要工程量：
（1）工程特点：该工程机电系统复杂，净化厂房面积为1万二千平方米，净化级别分别为十级、百级和千级，动力系统包括大宗气体、特种气体、工艺冷却水、工艺真空、化学品等项目，生产厂房主体为框架结构，屋顶采用大跨度钢屋架结构。主体结构二层，一层为设备工艺系统、一般排风和酸碱排风等，专业复杂，施工难度大。下夹层，主要由生产车间工艺下夹层和辅助用房组成，二层为工作层，主要由生产车间、办公室等管理用房组成。工程对抗微震的要求很高。
（2）该工程的主要工程量：本项目的主要建筑由生产主厂房、动力站房、纯水站房、废水处理厂房、开关站及气体库房等组成。工程占地面积约14万多平方米，总建筑面积约为5万多平方米。
（3）本工程土建部分包括：结构、建筑和钢结构部分组成。
（4）机电部分包括：洁净室内装、洁净室空调系统、工艺排风系统、冷冻水系统、热水锅炉系统、工艺冷却水系统、纯水系统、废水系统、压缩空气系统、氮气系统、氧气系统、特气系统、消防喷淋和消火栓系统、低压变配电站、工艺设备配电、照明、弱电自控、火灾报警系统等。
（5）洁净室内装工程包括：
 厂房火灾危险性为丙类，防火等级为2级，抗振烈度为7级。
 生产厂房内隔墙： （彩色金属夹心板）17000平米；
 生产厂房吊顶： （彩色金属夹心板）12000平米；
 环氧地面：14000平米；
 架空活动防静电地板：12000平米；
 架空地板用工字钢（规格***×**×*×**t）：42000米；
 各种风淋室：15个；
（6）电气工程包括：
 各种电压等级变压器： 9台（25000KVA，其中UPS：5000KVA）；
 各种配电柜： 156台；
 各类灯具：7300套；
 各种电气桥架：15000米；
 各种电线、电缆：共543000米；
（7）机械工程包括：
 厂房内的新风设计总风量为150000CHM，由四台（三用一备）新风机组集中供给；
 自循环风机（DCFU）：108台；
 高效过滤风机单元（FFU）：3020台；
 一般排气系统设计排风量60000CHM，由四台（三用一备）离心式排风机；
 燃油蒸汽锅炉：3台；
 水源热泵：2台；
 离心式冷冻机：4台；
 各种水泵：65台（不含纯水、排风、废水、药液等非我公司范围）；
 各种管道：187600米；
 镀锌铁皮：4800平米；
（8）钢结构工程及土建工程：
 钢屋面总计：3921T；
 混凝土：10255立米；
 钢筋：2103T

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