GB/T 26218.1-2010 污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定 第1部分：定义、信息和一般原则

ICS29.080.10
K48
中华人民共和国国家标准
GB/T26218.1-2010
代替GB/T5582一1993、GB/T16434-1996
污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定
第1部分：定义、信息和一般原则

Selection and dimensioning of high-voltage insulators intended for use in polluted conditions-
Part 1:Definitions,information and general principles(IEC/TS60815-1:2008,MOD)
2011-01-14发布2011-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会
发布

1范围和目的
GB/T26218的本部分规定了通用定义、现场污秽度(SPS)的评定方法，并概括了在一定污秽环境中对某类绝缘子得出大致性能判断的原则。
本部分适用于污秽条件下使用的高电压系统用绝缘子的选择以及相关尺寸确定。
本部分一般适用于所有类型外绝缘，包括构成其他电器的部件的绝缘。后面使用的术语“绝缘子”指任何类型的绝缘子。
绝缘子在污秽条件下的性能进行较深层次的研究可以参考CIGRE C4文件[1]，[2]，[3]，这些文件对GB/T26218提供了有益补充。
本部分不涉及雪、冰或海拔对污秽绝缘子的影响。虽然这个题目与CIGRE[1],[4]有关，但现有知识很有限，实践也各不相同。
本部分的目的在于：
●了解和识别影响绝缘子污秽性能的系统、应用、设备和现场的参数；
根据得到的数据、时间和资源了解并选择合适的方法选取和设计绝缘子；
表征现场污秽的类型并确定该现场的污秽度(SPS);
从SPS确定参考的统一爬电比距(USCD);
考虑该“候选”绝缘子的特性（特别是绝缘子外形）将其“参考”USCD按现场、应用和系统类型进行校正；
确定可能解决方案的相对优点和缺点；
评定各种解决办法或减污措施的需求和优点；
如有要求，确定验证所选取绝缘子的性能的适当的试验方法和参数。

2规范性引用文件
下列文件中的条款通过GB/T26218的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GB/T156标准电压(GB/T156一2007，IEC60038:2002,MOD)
GB/T2900.8电工术语绝缘子(GB/T2900.8一2009，IEC60050-471:2007,IDT)
GB/T4585一2004交流系统用高压绝缘子的人工污秽试验(IEC60507:1991,IDT)
GB/T7253标称电压高于1000V架空线路绝缘子交流系统用瓷或玻璃绝缘子元件盘形悬式绝缘子元件的特性(GB/T7253一2005，IEC60305:1995,MOD)
GB/T22707直流系统用高压绝缘子的人工污秽试验(GB/T22707一2008，IEC/TR61245:1993,MOD)
IEC60433标称电压高于1000V的架空线路用绝缘子一交流系统用瓷绝缘子一长棒形绝缘子元件特性

3术语和定义、缩略语
下列术语和定义、缩略语适用于本部分。
3.1术语和定义
下面给出的术语和定义是GB/T2900.8中没有出现的或者是与GB/T2900.8中给出的不同。
3.1.1
参照盘形悬式绝缘子reference cap and pin insulator
U120B或U160B盘形悬式绝缘子（按GB/T7253),通常用7个~9个这样的绝缘子组成绝缘子串来测量现场污秽度。
3.1.2
参照长棒形绝缘子reference long rod insulator
用来测量现场污秽度的L100长棒形绝缘子（按IEC60433),这样的绝缘子的伞应平滑无棱，上表面倾角为14°~24°，下表面倾角为8°~16°，至少有14个伞。
3.1.3
绝缘子主体insulator trunk
绝缘子的中间绝缘部分，伞由此伸出。
注：对直径较小的绝缘子也称作为杆体，
3.1.4
伞sheds
绝缘子主体上突出的绝缘部分，用以增加爬电距离。
注：9.3示出了一些典型伞外形。

3.1.5
爬电距离creepage distance
绝缘子正常承载运行电压的两部件间沿绝缘件表面的最短距离或最短距离的和。
注1：修改GB/T2900.8中471-01-04
注2：水泥或其他非绝缘的胶合材料表面不能看作爬电距离部分。
注3：如果绝缘子绝缘件部分地覆盖有高电阻层，例如半导电釉，那么这样的部分应考虑作为有效的绝缘表面并且其中的距离应包括在爬电距离内。
3.1.6
统一爬电比距unified specific creepage distance
USCD
绝缘子的爬电距离与该绝缘子上承载的最高运行电压的方均根值之比。
注1：此定义与使用了设备的最高电压为线对线值的爬电比距定义不同（对于交流系统通常为U/3),对于线对地绝缘，此定义产生的值将是GB/T5582一1993定义的爬电比距给出的值的3倍。
注2：“U”见EV604-03-01[5]。
注3：它一般以mm/kV表达并且通常表示为最小值，
3.1.7
绝缘子外形参数insulator profile parameters
对污秽性能有影响的一组几何参数。
3.1.8
盐密salt deposit density
SDD
在绝缘子一个给定表面（金属部件和装配材料不包括在此表面内）上为进行人工污秽试验而人工沉积的污秽物中的氯化钠(NaCl)量除以该表面的面积，一般用mg/cm2表示，
3.1.9
等值盐密equivalent salt deposit density
ESDD
溶解在给定的去离子水中时与从绝缘子一个给定表面清洗下的自然沉积物有相同体积电导率的氯化钠(NaC1)的量除以该表面的面积，一般用mg/cm2表示。
3.1.10
不溶沉积物密度（简称灰密）non soluble deposit density
NSDD
从绝缘子一个给定表面上清洗下的不溶残留物的量除以该表面的面积，一般用mg/cm2表示。
3.1.11
现场等值盐度site equivalent salinity
SES
按GB/T4585盐雾试验的盐度，一般以kg/m3表示。该盐度能够在相同电压下在相同绝缘子上产生与现场自然污秽可比较的泄漏电流峰值。
3.1.12
现场污秽度site pollution severity
SPS
在经过适当的积污时间后记录到的ESDD/NSDD或SES的最大值。
3.1.13
现场污秽度等级site pollution severity class
从很轻到很重现场的污秽度的分级，是按SPS的大小划分的。
3.1.14
带电积污系数energy coefficient
K,
相同型式绝缘子带电所测ESDD值与非带电所测ESDD值之比.

投稿会员：芳华