YS/T 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法

ICS77.040
H21 YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T26—2016代替YS/T26一1992
硅片边缘轮廓检验方法
Test methods for edge contour of silicon wafers

2016-07-11发布 2017-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发布

1范围
本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓（包含切口），砷化等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法提要
本标准规定了方法A、B、C三种测试方法，其测试原理分别如下：
a)方法A:沿硅片径向划开形成剖面，借助光学比较仪或投影显微镜，形成一个硅片边缘区域的剖面聚焦图形，将图形与边缘轮廓模板坐标图比较，确定边缘轮廓是否合格。本方法是破坏性的，限于圆周上离散点的检查，包括参考面，常用于直径不大于150mm硅片参考面倒角边缘轮廓的检测；
b)方法B:将硅片放置在平行光路下，硅片边缘投影到显示屏上，边缘轮廓的图像与边缘轮廓模板坐标图比较，确定边缘轮廓是否合格。本方法是非破坏性的，可检查除了参考面和切口外硅片轮廓上所有的点，常用于直径不大于200mm硅片除参考面和切口外边缘轮廓的检测；
C)方法C:将硅片放置在光源下，光源照在硅片边缘，CCD相机将硅片边缘（不包括参考面）或切口的轮廓形状的图像导人电脑，通过专用分析软件对检测图像进行分析，然后将轮廓形状的图像和测试结果显示在显示屏上，测试原理如图1所示。本方法是无接触、非破坏性的，可以测试硅片边缘和切口的轮廓形状，并能测量出轮廓尺寸。该方法操作简单便捷，可以直观的确定硅片边缘和切口是否合适，适用于各种尺寸、夹角和形状的硅片边缘轮廓的检测。本方法适用于日常过程监控，例如倒角机的调试、日常质量控制和进货、出厂检验等。

投稿会员：芳华