YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片

ICS29.045
H82 YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T1167-2016
硅单晶腐蚀片
Monocrystalline silicon etched wafers

2016-07-11发布 2017-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发布

1范围
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作品体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6616半导体硅片电阻1率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触润流法
GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T12962硅单品
GB/T12965硅单晶切割片和研磨片
GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T14140硅片直径测量方法
GB/T14264半导体材料术语
GB/T14844半导体材料牌号表示方法
GB/T20503铝及铝合金阳极氧化阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定20°、45、60°、85角度方向

3术语和定义
GB/T14264和GB/T30453界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1
表面光泽度surface glossiness
在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准陶瓷板样品在该镜面反射方向的反射光通量之比。光泽度值通常以数值表示，单位是Gs(光泽单位)。
3.2
表面反射率surface reflectivity
在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与入射光光通量之比，其数值通常以百分数表示。
3.3
表面腐蚀晶胞surface etched unit cell
硅单晶片的不同品面腐蚀速率不同，腐蚀过程中晶胞的三维形貌发生变化后在硅单晶片表面形成的图形。通过显微镜能够观察硅单品片表面腐蚀晶胞的形貌并测量腐蚀晶胞的长、宽等参数。
注：表面腐蚀品胞的形貌强烈依赖于硅单品片的品向和掺杂剂浓度、化学腐蚀液性质、腐蚀工艺条件等。酸腐蚀和碱腐蚀的硅单品片表面腐蚀品胞具有完全不同的形貌，参见附录A。

4牌号及分类
4.1牌号
腐蚀片的牌号表示方法参照GB/T14844的规定。
4.2分类
4.2.1腐蚀片按腐蚀液的种类分为酸腐蚀片、碱腐蚀片两种。
4.2.2腐蚀片按导电类型分为N型、P型两种。
4.2.3腐蚀片按硅单晶的生长方法分为直拉(CZ)法和悬浮区熔(FZ)法两大类。
4.2.4腐蚀片按直径一般分为$50.8mm、76.2mm、100mm、125mm、150mm和$2c0mm六种。非标准直径由供需双方协商。

投稿会员：芳华