GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法

ICS77.040
CCS H 21
中华人民共和国国家标雅
GB/T32280—2022代替GB/T32280—2015
硅片翘曲度和弯曲度的测试
自动非接触扫描法

Test method for warp and bow of silicon wafers-Automated non-contact scanning method
2022-03-09发布 2022-10-01实施
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布

1范围
本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50mm,厚度不小于100um的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于神化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T6619硅片弯曲度测试方法
GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T14264半导体材料术语
GB/T16596确定晶片坐标系规范
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
典型片representative wafer
利用翻转的方法进行重力校正的与被测晶片具有相同的标称直径、标称厚度、基准结构和结晶取向的代表性晶片。

3.2
参考片reference wafer
用以确定是否符合测试设备操作说明中重复性要求的标有翘曲度和弯曲度参数值的晶片。
注：参数值是使用测试设备通过大量重复测试获得的平均值，或者是基于设备重复性研究的统计值。
3.3
翘曲度warp
在质量合格区内，一个自由无夹持的晶片中位面相对参照平面的最大和最小距离之差。
3.4
弯曲度bow
自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准面间的偏离。
注：中位面基准面是由指定的小于晶片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。

4方法原理
将被测晶片放置在平坦、洁净的吸盘或晶片边缘夹持装置上，沿规定的图形在两个相对的探头之间运动，两个探头同时对晶片的上下表面进行扫描，获得一组晶片上下表面分别到最近的探头间的距离数据。
对应扫描的每一点，得到一对X和Y坐标相同的距离数值；成对的位移数值用于构造一个中位面，而在中位面上的重力效应的校正是通过从一个典型片测量值或理论值减去一个重力校正值得到的，也可以通过翻转晶片重复扫描进行校正。从合适的中位面构造一个最小二乘法基准面，计算每对测量点上的基准面偏离。翘曲度即为最大的正数和最小的负数间的代数差，弯曲度即为中心位置的中位面与晶片三点构成的基准面的代数差，而三点基准面是由被修正的中位面的特定点构成的。
注：晶片的翘曲可能是由于晶片的上下表面不相同的应力造成的，所以不可能通过测量其中一个面确定翘曲度。
中位面包含了向上、向下或两者都有的曲度，在某些情况下，中位面是平的，因此，翘曲度为零或正数值，弯曲度则是一个带正号或负号的数值，

投稿会员：芳华