GB/T 26069-2022 硅单晶退火片
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所属分类：其他规范
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分享时间：2022-04-26
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资源简介/截图：
ICS29.045
CCS H82
中华人民共和国国家标准雅
GB/T26069—2022代替GB/T26069—2010
硅单晶退火片
Annealed monocrystalline silicon wafers
2022-03-09发布 2022-10-01实施
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
1范围
本文件规定了硅单品退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、
运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单品抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180nm~22nm的集成电路.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款，其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1550非本征半导休材料导电类型测试方法
GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T6616半导休硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触润流法
GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T12962硅单品
GB/T12965硅单品切割片和研磨片
GB/T14264半导休材料术语
GB/T19921硅地光片表面颗粒测试方法
GB/T29504300mm硅单品
GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法
GB/T29508300mm硅单品切割片和磨削片
GB/T32280硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法
GB/T39145硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子休质谱法
YS/T28硅片包装
YS/T679非本征半导休中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件，
3.1
退火片annealed wafer
在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无品休缺陷[包括品休原生凹坑(COP)]的硅片。
3.2
技术代technology generation
在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸，即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸，
注：技术代也称为技术节点。
4分类
退火片按技术代分为180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、32nm和22nm七种规格，其他规格由供需双方协商确定.