高清PDF带书签《嵌入式系统中的辐射效应 国际电气工程先进技术译丛》（法）拉乌尔·委拉兹克 2017版

本书由法国 TIMA 实验室的 Raoul Velazco、 法国波尔多第一大学的 Pascal Fouillat 和巴西南里奥格兰德联邦大学的 Ricardo Reis 共同编著， 从 环境、 效应、 测试、 评价、 加固和预计等方面全面详细介绍了嵌入式系统 中的辐射效应， 主要内容包括空间辐射环境、 微电子器件中的辐射效应、 电子器件的在轨飞行异常、 多层级故障效应评估、 基于脉冲激光的单粒子 效应测试和分析技术、 电路的加固方法及自动化工具、 辐射效应试验测试 设备以及数字架构的错误率预计方法等。

本书内容全面、 丰富且针对性强， 覆盖了电子器件及系统辐射效应的方方面面。 区别于其他电子系统辐射效应论著， 本书从工程化的角度论述空间辐射效应评估、 地面模拟、 软错误率预计等技术以及国际上目前先进 的研究方法论， 同时兼具基础性和理论性。

本书适合专业从事电子器件及系统辐射效应研究的科研人员和工程化应用的技术人员阅读和借鉴； 同时， 也可为该领域的 “新人” （如研究 生） 提供必备的基础知识。

PDF书签索引目录：

第1章 空间辐射环境 1
1.1 空间辐射效应 1
1.1.1 空间辐射环境：范艾伦带、太阳耀斑、太阳风和宇宙射线 1
1.1.2 剂量效应：产生原因、对电子器件的影响、辐射强度 4
1.1.3 位移效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度 5
1.1.4 重离子效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度 5
1.1.5 质子效应：产生原因（直接或间接）、对电子器件的效应、辐射强度 6
1.2 其他效应 7
1.2.1 原子氧：来源和效应 7
1.2.2 太阳紫外线：来源和效应 7
1.2.3 微流星体：来源和效应 8
1.2.4 轨道碎片：来源和效应 8
参考文献 9
第2章 微电子器件的辐射效应 10
2.1 引言 10
2.1.1 长期效应 10
2.1.2 瞬态效应 11
2.2 MOS器件 12
2.2.1 阈值电压漂移 12
2.2.2 退化效应 14
2.2.3 亚阈斜率 15
2.2.4 MOSFET的泄漏电流 15
2.3 双极型器件 17
2.3.1 简介 17
2.3.2 电流成分 17
2.3.3 射-基间耗尽区的复合效应 18
2.3.4 中立基区的复合效应 18
2.3.5 电流增益 19
2.4 单粒子效应 20
2.4.1 引言 20
2.4.2 仿真方法 21
2.4.3 器件级效应 22
2.5 概述 23
致谢 23
参考文献 23
第3章 电子器件的飞行异常 26
3.1 引言 26
3.2 辐射效应综述 27
3.2.1 空间环境 27
3.2.2 元器件中的主要效应类型 27
3.3 飞行异常和空间环境 29
3.3.1 数据来源 29
3.3.2 统计对比 30
3.3.3 空间天气事件效应的一个重要例子 32
3.4 累积效应 34
3.4.1 人工辐射带 35
3.4.2 HIPPARCOS 36
3.4.3 木星上的伽利略探测器 36
3.4.4 超敏感系统 41
3.5 单粒子效应 42
3.5.1 银河宇宙射线 42
3.5.2 太阳粒子（质子，离子） 45
3.5.3 俘获带质子 47
3.6 传感器的特有事件 50
3.6.1 瞬态信号 50
3.6.2 永久或半永久损伤 55
3.7 专用仪器和试验 57
3.7.1 空间环境监视器 57
3.7.2 技术试验 58
参考文献 59
第4章 多层级故障效应评估 61
4.1 前言 61
4.2 FARM模型 63
4.2.1 故障注入的要求 64
4.2.2 侵扰性 64
4.2.3 速度 64
4.2.4 单次故障注入试验的加速 65
4.2.5 故障清单的产生 65
4.2.6 成本 65
4.3 假设 65
4.4 晶体管级的故障注入 67
4.4.1 产生软错误的粒子 67
4.4.2 硅器件中单粒子瞬态的模拟仿真 67
4.4.3 物理级的2D/3D器件仿真 68
4.4.4 电学级的瞬态故障注入仿真 69
4.5 门电路级和寄存器传输级的故障注入 71
4.5.1 无故障运行 72
4.5.2 静态故障分析 72
4.5.3 动态故障分析 73
4.6 系统级故障注入 74
4.6.1 故障模型 74
4.6.2 故障检测支持 75
4.6.3 故障注入执行加速 75
4.7 结论 76
参考文献 76
第5章 模拟和混合信号电路的辐射效应 79
5.1 简介 79
5.2 模拟测试 81
5.3 案例一：SRAM型FPAA 84
5.3.1 SRAM型FPAA的SEU效应 85
5.3.2 故障注入试验 86
5.3.3 试验结果 88
5.4 案例二：Σ-ΔA-D转换器 90
5.4.1 Σ-ΔA-D调制器 91
5.4.2 Σ-ΔA-D转换器的MATLAB模型 91
5.4.3 Σ-Δ转换器的辐射效应 96
5.5 用于缓解SEU与SET效应的模拟自检验设计 99
5.6 总结 103
参考文献 104
第6章 单粒子翻转的脉冲激光测试技术基础 106
6.1 简介 106
6.2 激光测试技术的基本原理 107
6.2.1 激光测试技术分类 107
6.2.2 激光激发率模型 108
6.2.3 激光激发率与重离子的比较 109
6.3 用于IC测试的脉冲激光系统 111
6.3.1 激光试验的基本原理 111
6.3.2 试验装置 111
6.3.3 自动化 113
6.3.4 其他系统 113
6.4 激光系统应用 114
6.4.1 脉冲激光SEU截面 114
6.4.2 商用SRAM的激光试验 116
6.4.3 基于双光子吸收产生载流子的激光单粒子效应 120
6.5 结论 122
参考文献 122
第7章 ASIC电路的设计加固方法 125
7.1 简介 125
7.2 总剂量效应的加固 126
7.2.1 抗辐射版图技术应用的困难 128
7.2.2 最新CMOS工艺的趋势 131
7.3 针对单粒子效应的加固 132
7.3.1 单粒子效应的加固 132
7.3.2 针对单粒子锁定（SEL）的加固 136
7.4 结论 137
参考文献 137
第8章 可编程电路的错误容差 140
8.1 简介 140
8.2 基于SRAM型FPGA的辐射效应 142
8.2.1 故障注入机理 145
8.3 基于SRAM型FPGA架构减轻SET和SEU效应的技术 146
8.4 采用TMR方法的SRAM型FPGA的高层次SEU减轻技术 149
8.4.1 提高TMR可靠性的解决方案 150
8.4.2 基于布局布线的解决方案 151
8.4.3 基于表决电路调整的解决方案 151
8.4.4 减少开销TMR解决方案 152
参考文献 155
第9章 用于加固设计的自动化工具 158
9.1 简介 158
9.2 用于RTL级别的自动化加固设计 159
9.3 硬件冗余的自动化插入 162
9.3.1 目标选择和重复 162
9.3.2 分辨函数 163
9.3.3 案例 163
9.4 信息冗余的自动插入 168
9.4.1 案例 169
9.5 误差恢复行为 175
9.6 总结 176
参考文献 176
第10章 SEE和总剂量试验测试设备 177
10.1 简介 177
10.2 器件的辐射效应 177
10.2.1 关键参数 178
10.2.2 所需各种参数的简要提示 179
10.2.3 TID 180
10.2.4 SEE 180
10.2.5 DDD 182
10.3 标准和规范 182
10.3.1 TID 182
10.3.2 SEE 183
10.3.3 DDD 184
10.4 试验设备和应用领域 185
10.4.1 TID 185
10.4.2 SEE 187
10.4.3 直流加速器 187
10.4.4 线性加速器 189
10.4.5 环形加速器 189
10.4.6 欧洲用于器件试验的多 种设备 191
10.4.7 准单能射线发生器 195
10.4.8 高束流试验线 196
10.4.9 剂量计 197
10.4.10 补偿工具（激光器、Cf、Am、μ射线） 199
10.4.11 微束 200
致谢 201
参考文献 201
第11章 数字架构的错误率预计：测试方法学和工具 204
11.1 引言 204
11.2 地面辐射测试的要求和目标 205
11.2.1 静态和动态SEU测试策略 207
11.2.2 错误类型和指导方针 209
11.2.3 硬件设备 212
11.3 数字架构的错误率估计 214
11.3.1 总体方法学 214
11.3.2 一个基于硬件的类SEU故障注入策略 215
11.4 结合地面辐射测试和错误注入：一个例子 219
11.4.1 目标处理器：8051微控制器 219
11.4.2 错误注入结果和错误率预计 221
11.4.3 地面辐射测试结果 222
11.5 更复杂架构的处理 224
参考文献 225
第12章 基于SEEM软件的激光SET测试和分析 226
12.1 简介 226
12.2 激光诱发SET 227
12.2.1 模拟器件激光测试 227
12.2.2 混合信号器件激光试验 228
12.3 利用激光试验和SEEM软件进行SET分析 229
12.4 结论 233
参考文献 233
版权页 235
后折页 236

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