GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量.pdf

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ICS31.080.99 CCS L55 G 中华人民共和国国家标准 GB/T41853-2022/IEC62047-9:2011 半导体器件微机电器件 晶圆间键合强度测量 Semiconductor devices-Micro-electromechanical devices- Wafer to wafer bonding strength measurement (IEC 62047-9:2011 Semiconductor devices- Micro-electromechanical devices-Part 9:Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS IDT) 2022-10-12发布 2022-10-12实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T41853—2022/IEC62047-9:2011 目 次 前言…… Ⅲ 1范围 …………1 2规范性引用文件…… ……1 3术语和定义…………… ………………1 4测量方法………………………………………………………………………1 4.1总则…………… 1 4.2目测法……………… ………1 4.3拉力测试法……… 2 4.4双悬臂梁测试法 … …4 4.5静电测试法…… 4.6气泡测试法…… ……….7 4.7三点弯曲测试法 … …………….9 4.8芯片剪切测试法…… ………12 附录A(资料性)键合强度示例…… 15 附录B(资料性)三点弯曲测试法试样的制作工艺示例………16 参考文献 ……17 I 一 ...

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