SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21262-2018 MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求 Technical requirements for MEMS inertial device chip measurement on wafer 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21262-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人:冯楠、杨拥军、杨琳、李倩、李丽霞、任倩婷、卢新艳. AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ21262-2018 MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求 1范围 本标准规定了MEMS惯性器件敏感芯片电参数在片测试的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要 求,以及测试流程、测试准备、测试系统连接、参数测试等详细要求. 本标准适用于MEM惯性器件敏感芯片(以下简称芯片)导通电阻、绝缘电阻、极间电容、谐振频 TRY AND 率、品质因数等电参数的在片测试 2规范性引用文件 INFORMA 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件,其随后的 修改单(不包含勘诞的内容)或修订版均不适用于本标准,然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于态标准. GB/T25915A洁净室及相关受控环境第1部分:空气洁净度等级 GJB 585 惯迎技术术语 3术语和定义 GB585确重的以及下列术语和定义适用于本标准, 3.1 在片测试chip measurement on wafer ECHNOLOGY 在晶圆上对芯片进行的参数测试. 3.2 极间电容interelectrode capacitance 芯片结构层极板之间的 电学 4一般要求 TANDARDS 4.1人员要求 人员要求如下: a)操作人员应经过专业岗位技术培训,经考核合格后持相应的岗位资格证上岗; b)操作人员应穿戴防静电净化服、防静电工作鞋帽,佩戴一次性口罩和手套,对静电敏感器件操 作时应正确使用防静电装置,并用防静电容器进行存放或转运; c)操作人员应严格按照工艺文件进行操作; d)操作人员应熟悉并执行相关的工艺卫生和安全条例,认真填写各种工艺记录. 4.2环境要求 4.2.1测试环境要求 除另有规定外,应符合下列规定: ...
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