SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21262-2018 MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求 Technical requirements for MEMS inertial device chip measurement on wafer 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21262-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：冯楠、杨拥军、杨琳、李倩、李丽霞、任倩婷、卢新艳. AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ21262-2018 MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求 1范围 本标准规定了MEMS惯性器件敏感芯片电参数在片测试的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要 求，以及测试流程、测试准备、测试系统连接、参数测试等详细要求. 本标准适用于MEM惯性器件敏感芯片（以下简称芯片）导通电阻、绝缘电阻、极间电容、谐振频 TRY AND 率、品质因数等电参数的在片测试 2规范性引用文件 INFORMA 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘诞的内容）或修订版均不适用于本标准，然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于态标准. GB/T25915A洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB 585 惯迎技术术语 3术语和定义 GB585确重的以及下列术语和定义适用于本标准， 3.1 在片测试chip measurement on wafer ECHNOLOGY 在晶圆上对芯片进行的参数测试. 3.2 极间电容interelectrode capacitance 芯片结构层极板之间的 电学 4一般要求 TANDARDS 4.1人员要求 人员要求如下： a)操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗； b)操作人员应穿戴防静电净化服、防静电工作鞋帽，佩戴一次性口罩和手套，对静电敏感器件操 作时应正确使用防静电装置，并用防静电容器进行存放或转运； c)操作人员应严格按照工艺文件进行操作； d)操作人员应熟悉并执行相关的工艺卫生和安全条例，认真填写各种工艺记录. 4.2环境要求 4.2.1测试环境要求 除另有规定外，应符合下列规定： ...
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