SJ 21446-2018 CdS-N-T型红外 紫外双色探测用硫化镉单晶片规范.pdf

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21446-2018 CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉 单晶片规范 Specification for cadmium sulfide monocrystalline wafers of CdS-N-T used for infrared/ultraviolet two-color detector 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21446-2018 前言 本规范的附录A、附录B、附录C和附录D为规范性附录. 本规范由中国电子科技集团公司提出. 本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所. 本规范主要起草人：张颖武、程红娟、齐海涛、杨丹丹、徐世海、窦瑛、郑风振、张蔺蔺. SJ21446-2018 CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范 1范围 本规范规定了CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片的要求、质量保证规定、交货准备等. 本规范适用于CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片（以下简称硫化镉晶片）. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，但鼓励根据本规范达成协议的各方研究，可 使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范. GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555-2009半导体单晶晶向测定方法X射线衍射定向法 GB/T4326-2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6624-2009硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度及总厚度变化测试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表 3要求 3.1几何参数 硫化镉晶片外观俯视图如图1所示，晶片镉面左下角为定位边.其中，a、b分别表示晶片的长度和 宽度，c、d分别表示定位边在晶片边长的投影，其中0.5mm1.7. b 硫化镉 晶片锅面 a d 图1硫化镉晶片外观俯视图 具体外形参数应符合表1的规定. 1 ...