SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21535-2018 电力电子器件用碳化硅外延片规范 Specification of silicon carbide epitaxial wafer for power electronic device 2018-12-29发布 2019-03-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21535-2018 前 言 本规范的附录A为规范性附录. 本规范由中国电子科技集团有限公司提出. 本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所. 本规范主要起草人：李赟、王翼、吴维丽、赵志飞、李忠辉、高汉超、张东国. AND ORMATION ECHNOLG SJ STANDARDS I SJ21535-2018 电力电子器件用碳化硅外延片规范 1范围 本规范规定了电力电子器件用碳化硅外延片（以下简称碳化硅外延片）的技术要求、质量保证、交 货准备以及说明事项等内容. 本规范适用于电力电子器件用在n型4H碳化硅衬底上生长了n型（或p型）碳化硅同质外延层的外延 片. 2规范性引用文件 TRY AND INFORMAZ 下列文件中的条款通过本规范的引用而构成本规范的条款.凡是注日的引用文件，其随后的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范.然而，鼓励根据规范达成协议的各方研究 是否使用这些文件的最新版本.凡是不注期的引用文件，其最新版本适用子本规范. GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T14264G半导体材料术语 GB/T14847重掺杂衬底上轻接架硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T30656化硅单晶抛光片 GB/T32278 碳化硅单晶片平整度测试法 GJB 179A 996 计数抽样检验程序及表 SJ/T11503化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 SJ21493配硅外延片表面缺陷测试方法 TECHNOLOGY 3要求 NIW 3.1总则 碳化硅外延片应符合本规范的要求 按本规范提交的产品应是经鉴定合格的产品 3.2结构、设计和工艺要求 DARDS 3.2.1结构与设计 除另有规定外，碳化硅外延片在衬底和外延层之间应有一层缓冲层，其掺杂类型与外延层相同，见图1. SiC外延层 SiC缓冲层 SiC衬底 图1碳化硅外延片结构示意图 ...
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