SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21536-2018 微波功率器件及集成电路用砷化镓 外延片规范 Specification of gallium arsenide epitaxial wafer for microwave power devices and monolithic microwave integrated circuits 2018-12-29发布 2019-03-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21536-2018 前 言 本规范的附录A为规范性附录. 本规范由中国电子科技集团有限公司提出. 本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本规范起草单位：巾国电子科技集团公司第五十五研究所. 本规范主要起草人：高汉超、吴维丽、张东国、李、李忠辉、尹志军、王翼. AND OFINDUSTRY ECHNO SJ STANDARDSI I SJ21536-2018 微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范 1范围 本规范规定了微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片（以下简称砷化镓外延片）的技术要求、质 量保证规定、交货准备等内容. 本规范适用于砷化镓微波功率器件和砷化镓微波单片集成电路(MMⅡC)用砷化镓外延片，其他砷 化镓外延片可参照使用. 2规范性引用文件 RY AND INFORM 下列文件中的条款通本规范的引用而成为本规范的条款.凡是注日的列用文件，其随后的 修改单（不包含误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而鼓励根据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡暴不注目期的引用文件，其最新版本适用于本规范. GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T66195硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片表面翘曲度测 GB/T 6 24硅抛光片表面质量目测检验 法 GB/T 1 26半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面粒测试方法 GB/T32278碳化硅单晶片平整度海试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表 GJB5345砷化镓抛光片规范 TECHNOLOGY 3要求 3.1总则 砷化镓外延片应符合本规范怕要求 按本规范提交的产品应是经鉴定合格的产 DARDS 3.2设计、结构和工艺要求 3.2.1结构与设计 除另有规定外，砷化镓外延片的类型主要包含：赝配高电子迁移率晶体管外延片(PHEMT)、高电 子迁移率晶体管外延片(HEMT)、金属半导体场效应晶体管外延片(MESFET)、异质结双极晶体管 外延片(HBT)、肖特基势垒二极管外延片(SBD)、PIN型材料； 砷化镓外延片应生长缓冲层. 3.2.2衬底 化镓外延片应采用半绝缘种化镓抛光片为衬底，衬底应符合GJB5345的规定. 3.2.3工艺 碑化镓外延片应采用分子束外延(MBE)技术或者金属有机...
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