ICS31.030 L90 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11773—2021 半导体集成电路冲压型引线框架 Semiconductor integrated circuit-stamping type lead frame 2021-03-05发布 2021-06-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11773—2021 前言 本标准按照GBT1.1一2009给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部提出. 由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：铜陵丰山三佳微电子有限公司、合肥丰山半导体科技有限公司. 本标准主要起草人：王友明、向华、张朝红、孙家兴、马春晖. NFORMATION TECHNO SJ STANDARDS SJ/T117732021 半导体集成电路冲压型引线框架 1范围 本标准规定了半导体集成电路冲压型引线框架术语和定义、技术要求、检测及验收规定、标志、储 存等. 本标准适用于半导体集成电路冲压型引线框架. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必凡是注的用文件 仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件其最新版本（包括的修改 丫适用于本文件. GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限 检索的逐批检验抽样计划 GB/T7092 半 导体成电路外形尺寸 GB/T14112 集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB/T1411 3术语和定义 SJ GB/T14113分 4技术要求 ON TECHNO 4.1毛刺 在引线框架在部位，竖直毛刺不大于0.025mm 水平毛刺不大于0.05m 4.2凹坑和压痕 凹坑和压痕的要求》 a)在功能区和外线的压痕，深度应不大于0.013mm 压痕长度应不于0.13mm: b)功能区和外引线以外的区域压痕深度应不大于0.05mm 长度应不大手0.13mm. 4.3镀层 镀层表面应致密，色泽均幻呈钟 个有肉眼 可儿的起皮、起泡、发花、斑点、沾污、异 物等缺陷.应无镀层漏镀并符合相关要求 4.4外形尺寸 引线框架外形尺寸应符合GB/T7092有关规定及引线框架设计文件的要求. 4.5厚度公差 引线框架常用材料厚度公差见表1. ...
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