SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6190 SJ/Z21356-2018 SiP产品芯片倒装工艺设计指南 Design guidelines for flip chip bonding process of SiP products 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ/Z21356-2018 前言 本指导性技术文件由中国电子科技集团公司提出. 本指导性技术文件由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本指导性技术文件起草单位：中国电子科技集团公司第二十九研究所、中国电子科技集团公司第十 研究所. 本指导性技术文件主要起草人：王辉、陆吟泉、庞婷、卢茜、董东、伍艺龙、马汉增、林奈. AND TECHNO SJ STANDARDS I SJ/Z21356-2018 SiP产品芯片倒装工艺设计指南 1范围 本指导性技术文件规定了系统级封装(P)产品芯片倒装工艺设计的一般要求和详细要求. 本指导性技术文件适用于SP产品芯片倒装的工艺设计. 2规范性引用文件 D 下列文件中的条款通过本指导性技术文件的引用而 FO公指导技术文件的条款.凡是注日期的引 用文件，其随后的修单（不包含勘误的内容）或修订版均造用天本指导性技术文件，然而，鼓 励根据本指导性技术文件达成协议的各方研究是否可使用这些文件的量 新版本.凡是不注日期的引用文 件，其最新版本适用于本指导性技术文件. GB/T14121993/ 半体成电路封术语 GJB32436998/电器件表面安装要求 SJ/T 10414-2015半导体器件用焊料 SJ/T 10668-2002表组装技术术语 SJ20710=998军用 面组装电路设计指南 ON TECHNO 3术语和定义 GB/T14t3和SJ/T10668确立的以及下列术语和定义适用于本指导性技 件 3.1 金凸点gold stud bump 一种以纯金为体材料，通过电镀或超声热压工艺在芯片凸点制作区制作的倒装凸点. 3.2 钎料凸点solder 一种以低温钎料为主体材 ANDAKU 通过蒸镀、电镀、印刷 料球等方式在芯片凸点制作区预置钎 料，再加热回流形成的倒装凸点 3.3 铜柱凸点copper pillar 一种以铜层和钎料层为主体材料，通过电镀工艺在芯片凸点制作区制作铜柱层及钎料层，再回流加 热形成的倒装凸点. 3.4 底部填充underfill 一种用胶填充倒装芯片与基板之间的间隙，以分散芯片表面承受的应力提高倒装焊接可靠性的工艺 方法. 1 ...
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