ICS31.200 CCS L56 T/CIE126-2021 目 次 前言 Ⅲ 1范围 …….1 2规范性引用文件 ……………………………1 3术语和定义 ……1 4测试要求 ……….3 4.1磁随机存储芯片信息…… … …..….3 4.2磁随机存储测试装置 …….3 4.3随机存储芯片测试………… .……4 4.3.1测试内容…………………………………………………4 4.3.2测试条件 ….4 5测试方法 .…………4 5.1通则……… ………….4 5.2测试设备和装置 …….5 5.3磁随机存储芯片的抗磁性测试 ……………………………………………6 5.3.1测试目的 ………………6 5.3.2 测试原理 …6 5.3.3测试方法 …………………6 5.3.4 测试步骤 ………….7 5.3.5 测试记录 ….9 5.4磁随机存储芯片的读干扰率/写错误率………………… …9 5.4.1测试目的 ………9 5.4.2 测试原理 ……9 5.4.3测试方法 10 5.4.4 测试步骤…… ……….11 5.4.5 测试记录…… …………13 5.5磁随机存储芯片的非易失性测试… …….13 5.5.1测试目的… ………13 5.5.2测试原理………………………………13 5.5.3测试方法… ……….13 5.5.4测试步骤………… ……….14 5.5.5测试记录………… ………15 5.6磁随机存储芯片的热稳定性测试……… …….15 5.6.1测试目的…… ……15 5.6.2测试原理…………………… ………15 5.6.3测试方法…… ……………….16 5.6.4测试步骤…… ……16 5.6.5测试记录 ……17 I T/CIE126-2021 前言 本标准按照GB/T1.1一2020给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中国电子学会提出. 本标准起草单位：北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、 中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致 真存储（北京）科技有限公司、深圳存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院. 本标准主要起草人：赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、 陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、 刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江. Ⅲ ...
T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法.pdf
