SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL5961 SJ20644/2—2001 半导体光电子器件 GD101型PIN光电二极管 详细规范 Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD101 PIN photodiode 2001-12-27发布 2002-01-01实施 中华人民共和国信息产业部批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体光电子器件 GD101型PIN光电二极管详细规范 SJ20644/2—2001 Semiconductor optoelectronics devices Detail specification for'type GD101 PIN photodiode 1范围 1.1主题内容 本规范规定了GD1O1型PIN光电二极管（以下简称“器件”）的详细要求. 1.2适用范围 本规范适用于器件的研制、生产和采购. 1.3分类. 按本规范提供的器件根据SJ20644-97《PIN、APD光电探测器总规范》规定为： 密封等级A级： 波长0.44m~1.1m; 光耦合类型3型一平面光窗. 2引用文件 GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 GJB128A一97半导体分立器件试验方法 SJ2354一83PIN、雪崩光电二极管测试方法 SJ20644一97PIN、APD光电探测器总规范 3要求 3.1详细要求 应符合SJ20644和本规范的规定. 3.2合格鉴定 本规范提交的器件应是经鉴定合格批准的产品. 3.3材料 3.3.1芯片材料 器件芯片材料为硅. 3.3.2引线材料 引线材料为可伐合金. 3.3.3光窗材料 中华人民共和国信息产业部2001-12-27发布 2002-01-01实施 1 SJ20644/2—2001 平面玻璃，光透过率大于90%. 3.4结构 器件的结构应符合SJ20644和本规范的规定. 3.4.1芯片结构 芯片结构为PIN. 3.4.2光敏面直径 光敏面直径6mm. 3.4.3封装形式 器件采用全金属化熔封. 3.4.4引线镀涂 引线为镀金，也可按照订货文件规定（见6.2）选择镀层. 3.4.5外形尺寸 外形尺寸见图1 D 中D Dy 0( ob 图1外形图. mm 符号 中D1 中D2 L A k 尺寸 9b j e1 0() 最小值 15.1 13.8 10.4 0.4 12.7 3.8 0.8 0.8 公称值 一 一 2.6 10.0 45 最大值 15.5 14.2 11.6 0.6 15.0 4.4 1.2 1.2 图1外形尺寸 3.4.6引出端排列 引出端排列见图2. 2 ...
SJ 20664.2-2001 半导体光电器件 GD101型PIN光电二极管详细规范.pdf
