SJ 20928-2005 陶瓷无引线片式载体详细规范.pdf

半导体集成电路外壳总规范,陶瓷行业,其他规范
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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL5999 SJ20928—2005 200 陶瓷无引线片式载体详细规范 Detail specification for ceramic leadless chip carrier 2005-06-28发布 2005-12-01实施 中华人民共和国信息产业部批准 SJ20928—2005 20.1? 前 言 本规范是GJB1420A一1999《半导体集成电路外壳总规范》的相关详细规范. 本规范由中华人民共和国信息产业部提出. 本规范由信息产业部电子第四研究所归口. 本规范起草单位:江苏省宜兴电子器件总厂. 本规范主要起草人:周海翔,吴咏生,汤纪南. I SJ20928-2005 陶瓷无引线片式载体详细规范 1范围 本规范规定了陶瓷无引线片式载体(以下简称载体)的详细要求. 2用乐 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款.凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修 改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用于本规范,但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版 本的可能性.凡不注日期或版次的引用文件,其最新版本适用于本规范. GB7092一1993半导体集成电路外形尺寸 GJB1420A一1999半导体集成电路外壳总规范 3要求 3.1总则 载体应符合本规范和GJB1420A一1999规定的要求.本规范和GJB1420A一1999不一致时应 以本规范为准. 3.2材覆 3.2.1材料 3.2.1.1底座采用氧化铝陶瓷,其氧化铝的含量应不低于90%. 3.2.1.2盖板采用4J42铁镍合金,其要求应符合GJB1420A一1999中3.4.1b)的规定. 3.2.1.3底座上的封接环采用4J42铁镍合金,其要求应符合GJB1420A一1999中3.4.1b)的规定. 3.2.2镀覆 3.2.2.1镀镍层的厚度应为1.3μm~8.9μm. 3.2.2.2键合区和芯片粘接区金层厚度应不小于0.8μm.密封区和接触区金层厚度应不小于1.3μm 可采用多层镍和金镀覆结构. 3.2.2.3镀金工艺中所用金的纯度应不低于99.9%. 3.3设计、结构和外形 3.3.1载体的设计和结构应符合GJB1420A一1999中3.5的规定. 3.3.2长方形和正方形载体的底座结构见图1,双列形载体的底座结构见图2. 3.3.3盖板结构见图3. 3.3.4载体的外形尺寸应符合GB7092一1993的规定及供需双方确认的图纸的要求. 1 ...

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