ICS77.040 CCS H 17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T24581-2022 代替GB/T245812009 硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 Test method forⅢand V impurities content in single crystal silicon-- Low temperature FT-IR analysis method 2022-03-09发布 2022-10-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T24581-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T24581一2009《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测 试方法》，与GB/T24581一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)删除了“目的”（见2009年版的第1章）； b)更改了硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(A1)、锑(Sb)、镓(Ga)的测定范围，并增加了钢(In)含量的测 定（见第1章，2009年版的第2章）； c)更改了术语和定义（见第3章，2009年版的第5章）； d)增加了杂质含量小于5.0×10cm-的样品的测量条件（见5.6）； e)增加了用次强吸收谱带P(275cm-1)来计算磷(P)元素的含量（见5.8）； f)增加了掺杂硅单晶对测量的影响（见5.9）； g)更改了多晶转变为单晶的方法（见5.12 2009年版的8.1）； h)更改了傅立叶变换红外光谱仪的要求（见7.4 2009年版的7.4）； i)增加了千分尺及其精度要求（见7.5）； j)更改了非零响应值谱线范围（见9.2 2009年版的10.2）； k)更改了背景光谱的扫描次数（见9.7 2009年版的11.5）； 1)更改了样品的扫描次数（见9.10 2009年版的11.8）； m)表1中增加了P(275cm-1)对应的峰位置、基线和积分范围及校准因子（见10.1）； )更改了杂质含量的单位，并对计算公式进行了相应的修约（见10.4 2009年版的13.1、13.2）； o)更改了测量结果的精密度（见第11章，2009年版的第15章）； )更改了试验报告的内容（见第12章，2009年版的第14章）； 9)删除了偏差、关键词（见2009年版的第16章、17章）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备与材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅...
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