ICS29.045 CCS H 82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T26069-2022 代替GB/T26069—2010 硅单晶退火片 Annealed monocrystalline silicon wafers 2022-03-09发布 2022-10-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T26069—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T26069一2010《硅退火片规范》，与GB/T26069一2010相比，除结构调整和编辑 性改动外，主要技术变化如下： )“范围”一章增加了包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单等内容，更改了硅单晶退火片的 适用范围（见第1章，2010年版的第1章）； b)增加了术语“退火片”“技术代”及其定义（见第3章）； c)增加了65nm、45nm、32nm和22nm集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格（见第4 章)； d)增加了退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508的要 求（见5.1）； )更改了硅片标识、径向氧含量、厚度及允许偏差、局部光散射体等要求，删除了直径、边缘表面 条件、平整度、滑移、体微缺陷(BMD)刻蚀带深度等要求，增加了主参考面或切口晶向、边缘轮 廓、背表面状态、洁净区宽度(DZ)等要求（见第5章，2010年版的4.2）； )删除了径向电阻率变化、晶向、参考面长度、主参考面晶向、晶体完整性、直径、间隙氧含量、间 隙氧含量径向变化、边缘轮廓的测量方法（见2010年版的5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10和 5.15) g)更改了厚度、总厚度变化、局部平整度的测量方法（见6.3 2010年版的5.11和5.13）； h)更改了翘曲度的测量方法（见6.4 2010年版的5.12）； i)增加了背表面光泽度的测量方法（见6.6）； j)更改了表面金属含量的测试方法（见6.8 2010年版的5.17）； k)增加了体金属（铁）含量的测试方法（见6.10）； 1)增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法（见6.11）； m)更改了组批方式（见7.2 2010年版的6.2）； )全检项目中增加了导电类型、几何参数、表面金属含量和氧化诱生缺陷（见7.3.1）； o)增加了检验结果的判定（见7.5）； p)更改了包装（见8.1 2010年版的7.2）； q)增加了随行文件（见8.5）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/...
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