ICS29.045 CCS H 82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑 硅单晶抛光片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit 2022-03-09发布 2022-10-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T41325—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导 体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股 份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司. 本文件主要起草人：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、 潘金平. GB/T413252022 集成电路用低密度晶体原生凹坑 硅单晶抛光片 1范围 本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验 方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容. 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向、电阻 率0.10cm~100ncm的Low-COP抛光片. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12962硅单晶 GB/T12965硅单晶切割片和研磨片 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T2950830...
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