ICS29.045 H83 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11471—2014 发光二极管外延片测试方法 Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes 2014-10-14发布 2015-04-01实施 SJ 2015 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T11471—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司、山东华光光电子有限公司. 本标准参加单位：见附录C. 本标准主要起草人：潘尧 TND成】 INDUSTR UISINIW SJ STANDARDS I SJ/T11471—2014 发光二极管外延片测试方法 1范围 本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的几何参数、表面缺陷、结构参数及光 电参数的测试方法. 本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铜磷系及铝嫁钢氮系外延片 2规范性引用文件 RY AND INFORMAT 下列文件对于本文的应男是必不可少的.凡是注日期的引用 主期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用件 其最新版本（包括的修改单）适用于 GB/T6619 硅秀曲度测试法 N GB/T6620 中片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624七2009硅折光片表面质量目检验方法 GB/T87582006 砷化惊外延层愿度红外干涉测量方法 GB/T8760一2006砷化家单晶位错密度的测量方法 GB/T1414021993硅片直径测量方注 GB/T14262009半导材料术语 GB/T189072002透射电子显微镜选区电子射分析方法 GB/T20229化镓单晶 TECHNOLOG GB/T2030一2006纳米级长度的扫描电镜测量方法通则 GB/T25915.1—200 洁净室及相关受控环境第一部分：空气洁净度 B/T7503金属覆盖层横截面厚度扫描电镜测试方法 半导达发光N节ARD SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 SJ/T11395-2009 体照明术洁 SJ/T11399-2009 SJ/T11470一2014发光二极管外延片 3术语和定义 GB/T14264一2009和SJ/T11395一2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1辐射功率保持率radiant power maintenance 芯片在规定工作条件下连续工作规定时间后的辐射功率的值与初始值之比. 4一般要求 4.1测试环境条件 1 ...
SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法.pdf
