ICS29.045 H83 备案号：50544-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11487—2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触 测量方法 Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer 2015-04-30发布 2015-10-01实施 2015 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDAROS SJ/T11487-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：何秀坤 音 INDUSTRH SJ STANDARDS I SJ/T11487—2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 1范围 本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法. 本标准适用于半绝缘砷化、磷化锢、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量，电阻率的测量范围 为1032cm~1022cm. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 非接触式电阻率测试源自电容充放电原理，如图1所示.电阻率R与电容充放电弛豫时间成正比， 根据电量变化的弛豫曲线可确弛豫时间t 并最终计算得到电阻率R 电容探头 C. 电极 R 外围防护 品片 T-R(C C) 卡盘 图1非接触式电阻率测量原理图 ...
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