ICS29.045 H83 备案号：50549-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11492—2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 Test methods for measurement of position of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11492—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 中国科学院半导体研究所、苏州晶瑞化学有限公司、大津中环领先材料技术有限公司. 本标准主要起草人：李静、 A把 INDUSTRI RMATION ECHNO SJ STANDARDS SJ/T11492—2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 1范围 本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓碑(GaAS1-Px)晶片组分进行测试的 方法. 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰(2g)在640nm~670nm范围内时，对应磷的摩尔分数 为36%到42%的n型GaAs1.P晶片 2术语和定义 CRY AND INFORMATION 下列术语和定义适角P本友件. 2.1 光致发光 激发光照射到品表面时， 材科现本吸收，在材料表面产生大量的电子空穴对，它们通过不 同的复合机构进行复舍，其中辐射复合产生光发射 3方法原理 HLS 本方法根据asPx发光峰的波长值随测定组分百分比X值而变化的原理，记录在波长 600nm~750nm范周内样品的光致发光峰值，通过作入pL对磷的校准曲线来得磷的摩尔百分含量. 4干扰因素 S 4.1样品的光致发光峰位受检测器的 普响应特性和单鱼 效率曲线的影响.因此，要在 测量范围内选择合适的检测器和光 NDA 4.2对于包括GaAsl-xPx在内的大多数半导体，其发光峰位会随温度发生改变.因此，对激发光源的 功率必须做必要的限定.如果光源的功率过高会使样品的局部温度发生明显变化，会引入测量误差.可 参考如下方法选择合适的激发功率：从低到高在不同激发功率下连续测量样品的光致发光谱，当激发功 率大于某一数值时，发光峰位将产生明显红移.选取产生峰位红移之前的较大的激发功率作为正式测量 的激发功率.该方法选取的激发功率，在避免了高激发功率引起峰位红移的前提下，保证了光致发光的 强度.激发光源的功率调整可以通过调节光源的电源、在光路中插入衰减片等方法实现. 4.3在测量过程中，有时激发光源的散射光会对测量产生干扰.除了采用如图1所示的滤光片来滤除 散射光外，可适当调整样品的角度或激发光束方向来减小散射光的干扰. 4.4由于半导体材料的发光波长（禁带宽度）强烈依赖于温度，为减少测试误差，该方法要求测试温 度为23℃±2℃ 1 ...
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