ICS29.045 H82 备案号：50552-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11495—2015 硅中间隙氧的转换因子指南 Guide to conversion factors for interstitial oxygen in silicon 2015-04-30发布 2015-10-01实施 2102 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11495—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技木有限公司 本标准主要起草人：李静、柯秀坤 INDUSTRY MULSININ ORMATION TECHNO SJ STANDARDS I SJ/T11495—2015 硅中间隙氧的转换因子指南 1范围 本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南. 本标准适用于在室温下测试电阻率大于0.12cm的n型硅单晶和电阻率大于0.52cm的p型硅单晶 中间隙氧含量. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1557一2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 3各标准之间进行换算的转换因子 3.1表1给出使用不同版本的校正系数计算硅中间隙氧含量数值.目前，氧含量用两种单位表示，分 别为ppma或atcm表示. 表1校正系数及计算结果 采用atcm2 采用ppma单位 标准名称 单位的校正系数 的校正系数 ASTM F121:1983 2.45×107 4.90 JEIDA 61:1983 3.05×107 6.10 GB/T1557—2006 3.14×107 6.28 DIN50438-1或IOC-1988 3.14×107 6.28 ASTM F121:1979 4.815×107 9.63 注：间隙氧含量由at.cm3换算到ppma时，除以5x10[(at.cm)/ppma]- 3.2表2给出氧含量从一种标准到另一种标准之间进行换算的转换因子. 表2标准之间进行换算的转换因子 至 DIN50438-1 ASTM F121:1983 JEIDA 61:1983 GB/T1557-2006 ASTM F121:1979 转换自 或10C-1988 ASTM F121:1983 1 1.245 1.282 1.282 1.965 JEIDA 61:1983 0.803 1 1.030 1....
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