ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T14139—2019 代替GB/T14139一2009 硅外延片 Silicon epitaxial wafers 2019-06-04发布 2020-05-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14139-2019 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T14139一2009《硅外延片》.本标准与GB/T14139一2009相比，除编辑性修改外 主要技术变化如下： 一修改了适用范围，将“本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的型外延层(N/N)和在P 型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P)的同质硅外延片.产品主要用于制作硅半导体 器件.其他类型的硅外延片可参照适用.”改为“本标准适用于在直径不大于150mm的N型 和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片”（见第1章，2009年版的第1章）. 一规范性引用文件中删除了GB/T12962、GB/T14145、YS/T24 增加了GB/T1550、 GB/T1555、GB/T14844、GB/T19921、GB/T24578、YS/T28、SEMI M85(见第2章，2009 年版的第2章). —增加了“术语和定义”（见第3章）. —将产品的牌号和分类单列一章，并修订了牌号表示方法和外延层的晶向（见第4章，2009年版 的3.1). —一修订了外延片用衬底材料的要求（见5.1 2009年版的3.2）. 增加了外延层的导电类型、晶向的要求、试验方法、检验规则等（见5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、第7 章). 外延层电阻率由中心电阻率修订为平均电阻率，并修订了电阻率、电阻率允许偏差及径向电阻 率变化的要求（见5.2.3 2009年版的3.3）. —外延层厚度由中心厚度修订为平均厚度，并修订了厚度、厚度允许偏差及径向厚度变化的要求 (见5.2.4 2009年版的3.4). 一增加了外延层纵向电阻率分布及过渡区宽度的要求、试验方法、检验规则等（见5.2.5、6.5、第7 章). 一修改了外延层位错密度的要求，由“不大于500个/cm2”修订为“应不大于50cm-2”(见5.2.6， 2009年版的3.5.1). 增加了表面金属的要求、试验方法及检验规则（见5.2.7、6.7、第7章）. 一删除了大点缺陷的要求（见2009年版的3.6.1）. 删除了“表面缺陷区域系指直径不大于76.2mm的硅外延片去除边缘2mm环形区域，直径 100mm、125mm和150mm硅外延片去除边缘3mm环形区域的整个表面”（见2009年版的 3.6.2). 删除了“表面点状缺陷包括符合GB/T14264的钉、粘附的颗粒、突起物、夹杂、小丘和棱锥. 使用清洗技术能除去的颗粒不属于点状缺陷”（见2009年版的3.6.3）. 删除了“崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于0.3mm的损伤.最大崩边径向深度不 大于0.5mm 累计崩边最大周边长不大于2.5mm”(见2009年版的3.6.4). 删除了“雾的定义见GB/T14264”(见2009年版的3.6.5). 一删除了“沾污包括色斑、手套印、尘埃、污迹和溶剂残留物”（见2009年版的3.6.6）. 增加了组批、检验项目的要求（见7.2、7.3）. 修改了包装要求（见8.1.1 2009年版的6.1.1）. GB/T14139-2019 ——增加了订货单（或合同）内容（见第9章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC...
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