ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T25076—2018 代替GB/T250762010 太阳能电池用硅单晶 Monocrystalline silicon for solar cell 2018-09-17发布 2019-06-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T25076-2018 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T25076一2010《太阳电池用硅单晶》，与GB/T25076一2010相比主要技术变化如下： 一一将标准名称《太阳电池用硅单晶》修改为《太阳能电池用硅单晶》； —修改了适用范围，将“适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶”改为“适用于直拉掺 杂制备的圆形硅单晶经加工成的准方形或方形硅单晶.产品用于切割成硅片后进一步制作地 面太阳能电池”（见第1章，2010年版的第1章）； —增加了引用文件GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651及YS/T28、YS/T679 删 除了GB/T1552、GB/T1553、SEMI MF1535(见第2章)； —增加了牌号的规定（见4.1）； —将2010年版中第4章技术分类中的4.1分类和4.2规格单独列为一章，即增加了“第4章牌号 及分类”；将按外形分类由原来的圆形和准方形(2010年版的4.1)改为准方形和方形；删除了 圆形硅单晶规格，增加了方形硅单晶的规格（见4.1、4.2）； 一删除了圆形硅单晶的尺寸要求（见2010年版的4.3.1），修改了准方形硅单晶的端面尺寸要求 (见图1和表1 2010年版的图1和表2)，增加了方形硅单晶的端面尺寸要求（见图2和表2）； —将垂直度单列为一条，并增加了“准方形或方形硅单晶的端面垂直度应不大于1mm”的要求 (见5.1.3)； 一一电阻率范围下限由0.52cm改为P型0.20cm、N型0.12cm(见表3 2010年版的表3)； 一修改了硅单晶的间隙氧含量要求，由小于1.3×1018 atoms cm3改为P型应不大于1.1× 1018 atoms cm3 N型应不大于1.0×1018 atoms/cm3 或由供需双方协商确定（见5.4 2010年版的 4.6); 一修改了硅单晶的代位碳含量要求，由不大于1.0×1017 atoms /cm3改为P型应不大于1.0× 1017 atoms/cm3 N型应不大于5.0×1016 atoms /cm3 或由供需双方协商确定（见5.5 2010年 版的4.7)； 一晶体完整性中增加了无滑移位错的要求（见5.6）； —增加了硅单晶的体金属含量的要求（见5.7）； —增加了表面质量的要求（见5.8）； 一增加了体金属和表面质量的试验方法、检验项目及检验结果判定的内容（见6.10、6.11、7.3、 7.4、7.5.3); ——将取样和抽样合并改为表格的形式（见表4 2010年版的6.4和6.5）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、隆基绿能科技股份有限 公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技有限公司、洛 阳鸿泰半导体有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院. 本标准主要起草人：孙燕、张果虎、楼春兰、杨素心、刘培...
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