ICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T4060—2018 代替GB/T4060—2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法 Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method 2018-09-17发布 2019-06-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T4060—2018 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T4060一2007《硅多晶真空区熔基硼检验方法》，与GB/T4060一2007相比，除编 辑性修改外主要技术变化如下： —增加了规范性引用文件GB/T620—2011、GB/T626一2006、GB/T11446.1一2013、GB/T25915.1一 2010(见第2章)； 一修改了方法提要，将“以1.0mm/min的速度区熔提纯14次成晶后”改为“以不高于1.0mm/min 的速度多次区熔提纯后”（见第4章，2007年版的第4章）； 一在干扰因素中增加了“酸洗用的器皿、酸液和去离子水纯度、腐蚀速度、腐蚀温度、样品暴露时 间都可能带来沾污，应加以控制”（见5.4）； —删除了干扰因素中关于区熔后单晶的要求、测试环境（见2007年版的5.6、5.7）； —一在试剂和材料中“p型电阻率不低于3000Qcm的籽晶”修改为“籽晶应为无位错的P型 高阻硅单晶，且受主杂质含量（原子数）小于2.5×1012cm-3、碳含量（原子数）小于 5×101scm-3、晶向偏离度小于5°”（见6.4 2007年版的6.1）； 一在仪器设备中的“取芯设备”修改为“取芯设备，可钻出直径约为15mm~20mm且长度不小 于100mm的多晶硅样芯”[见7.1 2007年版的7a)]; —增加了两探针或四探针电阻率测试仪（见7.6）； —增加了测试环境（见第8章）； 一在取样中“平行于硅芯钻取长180mm左右，直径为15mm~20mm左右的样芯作样品”修改 为“平行于硅芯钻取长度不小于100mm 直径为15mm~20mm的样芯作样品”（见9.2 2007年 版的8.2)； 一样芯距多晶硅棒底部的距离由“不低于50mm”改为“不小于250mm”(见9.4 2007年版的8.4)； —删除了“选择电阻率大于30000cm 碳含量小于0.2×10-6，无位错，晶向偏离度小于5°的 P型高阻硅单晶切割制备成的籽晶”（见2007年版的10.1.1）； —一在区熔拉晶步骤增加了“第1次与第2次提纯完成后，每次保留一个熔区长度的尾部，第3次 开始固定区熔长度”（见11.4）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、洛阳中硅高科技有 限公司、峨嵋半导体材料研究所. 本标准主要起草人：胡伟、刘晓霞、耿全荣、鲁文锋、王桃霞、胡自强、宗冰、肖建忠、万烨、杨旭. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T4060—1983、GB/T4060—2007. I GB/T4060—2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法 1范围 本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法. 本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定.基硼含量（原子数）测定范围为 0.01×...
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