GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾.pdf

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ICS31.080.01 L40 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.13-2018/IEC60749-13:2002 半导体器件机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 Semiconductor devices--Mechanical and climatic test methods-— Part 13:Salt atmosphere (IEC60749-13:2002 IDT) 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T4937.13—2018/IEC60749-13:2002 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成: —第1部分:总则; —第2部分:低气压; —第3部分:外部目检; 一第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST); —第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验; ——第6部分:高温贮存; —第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析; —第8部分:密封; —第9部分:标志耐久性; —第10部分:机械冲击; —第11部分:快速温度变化双液槽法; —第12部分:扫频振动; —第13部分:盐雾; 第14部分:引出端强度(引线牢固性); 一第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; —第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND); 第17部分:中子辐照; —第18部分:电离辐射(总剂量); 第19部分:芯片剪切强度; —第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; 第21部分:可焊性; —第22部分:键合强度; ——第23部分:高温工作寿命; —第24部分:加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT); 第25部分:温度循环; 第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM); —第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); 一第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级; —第29部分:门锁试验; 第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); 第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); ——第33部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮; —第34部分:功率循环; 第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查; ——第36部分:恒定加速度; I GB/T4937.13-2018/IEC60749-13:2002 一一第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法; 第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法; ——第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量; —第40部分:采用张力仪的板级跌落试验方法; —第41部分:非易失性存储器件的可靠性试验方法; —第42部分:温度和湿度贮存; ——第43部分:集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南; ——第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法. 本部分为GB/T4937的第13部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用IEC60749-13:2002《半导体器件机械和气候试验方法第13部分: 盐雾》. 与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件为: —GB/T4937.14一2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢 固性)(IEC60749-14:2003 IDT); —GB/T2423.17一2008电工电子产品环...

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