ICS31.080.01 L40 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.13-2018/IEC60749-13:2002 半导体器件机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 Semiconductor devices--Mechanical and climatic test methods-— Part 13:Salt atmosphere (IEC60749-13:2002 IDT) 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T4937.13—2018/IEC60749-13:2002 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成： —第1部分：总则； —第2部分：低气压； —第3部分：外部目检； 一第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST); —第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验； ——第6部分：高温贮存； —第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析； —第8部分：密封； —第9部分：标志耐久性； —第10部分：机械冲击； —第11部分：快速温度变化双液槽法； —第12部分：扫频振动； —第13部分：盐雾； 第14部分：引出端强度（引线牢固性）； 一第15部分：通孔安装器件的耐焊接热； —第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND); 第17部分：中子辐照； —第18部分：电离辐射（总剂量）； 第19部分：芯片剪切强度； —第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响； 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输； 第21部分：可焊性； —第22部分：键合强度； ——第23部分：高温工作寿命； —第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT); 第25部分：温度循环； 第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM); —第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); 一第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级； —第29部分：门锁试验； 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理； 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）； 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）； ——第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮； —第34部分：功率循环； 第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查； ——第36部分：恒定加速度； I GB/T4937.13-2018/IEC60749-13:2002 一一第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法； 第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法； ——第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量； —第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法； —第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法； —第42部分：温度和湿度贮存； ——第43部分：集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南； ——第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法. 本部分为GB/T4937的第13部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用IEC60749-13:2002《半导体器件机械和气候试验方法第13部分： 盐雾》. 与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件为： —GB/T4937.14一2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度（引线牢 固性)(IEC60749-14:2003 IDT); —GB/T2423.17一2008电工电子产品环...
GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾.pdf
