ICS31.080.01 L40 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.18-2018/IEC60749-18:2002 半导体器件机械和气候试验方法 第18部分：电离辐射（总剂量） Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods- Part 18:Ionizing radiation(total dose) (IEC60749-18:2002 IDT) 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T4937.18-2018/IEC60749-18:2002 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成： —第1部分：总则； —第2部分：低气压； —第3部分：外部目检； —第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST); —第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验； 一第6部分：高温贮存； —第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析； —第8部分：密封； 一第9部分：标志耐久性； —第10部分：机械冲击； —第11部分：快速温度变化双液槽法； —第12部分：扫频振动； —第13部分：盐雾； —第14部分：引出端强度（引线牢固性）； —第15部分：通孔安装器件的耐焊接热； —第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND); —第17部分：中子辐照； 一第18部分：电离辐射（总剂量）； —第19部分：芯片剪切强度； ——第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响； —第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输； 第21部分：可焊性； —第22部分：键合强度； —第23部分：高温工作寿命； 一第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT); ——第25部分：温度循环； 一第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM); 一第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); 第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级； —第29部分：门锁试验； —第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理； —第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）； —第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）； 第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮； —第34部分：功率循环； —第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查； ——第36部分：恒定加速度； I GB/T4937.18-2018/IEC60749-18:2002 —第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法； —第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法； —第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量； —第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法； 一第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法； —第42部分：温度和湿度贮存； —第43部分：集成电路(1C)可靠性鉴定方案指南； ——第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法. 本部分为GB/T4937的第18部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用IEC60749-18:2002《半导体器件机械和气候试验方法第18部分： 电离辐射（总剂量）》. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本部...
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