GB/T 4937.30-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理.pdf

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ICS31.080.01 L40 ge 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.30-2018/IEC60749-30:2011 半导体器件机械和气候试验方法 第30部分:非密封表面安装器件在 可靠性试验前的预处理 Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods- Part 30:Preconditioning of non-hermetic surface mount devices prior to reliability testing (IEC60749-30:2011 IDT) 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T4937.30-2018/IEC60749-30:2011 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下几部分组成: ——第1部分:总则; —第2部分:低气压; ——第3部分:外部目检; —第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST); ——第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验; —第6部分:高温贮存; ——第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析; ——第8部分:密封; 一第9部分:标志耐久性; —第10部分:机械冲击; —第11部分:快速温度变化双液槽法; —第12部分:扫频振动; —第13部分:盐雾; 一第14部分:引出端强度(引线牢固性); —第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; 一第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND); —第17部分:中子辐照; —第18部分:电离辐射(总剂量); —第19部分:芯片剪切强度; —第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; —第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; —第21部分:可焊性; ——第22部分:键合强度; ——第23部分:高温工作寿命; 一第24部分:加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT); —第25部分:温度循环; 一第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM); 一第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); —第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级; ——第29部分:门锁试验; ——第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; —第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); 一第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); —第33部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮; ——第34部分:功率循环; —第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查; —第36部分:恒定加速度; I GB/T4937.30-2018/IEC60749-30:2011 ——第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法; —第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法; —第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量; —一第40部分:采用张力仪的板级跌落试验方法; —第41部分:非易失性存储器件的可靠性试验方法; ——第42部分:温度和湿度贮存; —第43部分:集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南; ——第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法. 本部分为GB/T4937的第30部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用IEC60749-30:2011《半导体器件机械和气候试验方法第30部分: 非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理》. 与本部分中规范性...

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