ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T5238—2019 代替GB/T5238—2009 锗单晶和锗单晶片 Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices 2019-06-04发布 2020-05-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T5238—2019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T5238一2009《锗单晶和锗单晶片》.与GB/T5238一2009相比，除编辑性修改外 主要技术变化如下： 修订了标准适用范围，将“外延衬底”改为“红外光学部件”（见第1章，2009年版的第1章）； 一规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T5254 增加了GB/T1555、GB/T14264、 GB/T14844、GB/T26074(见第2章，2009年版的第2章)； —增加了术语和定义（见第3章）； —修订了牌号表示方法（见4.1 2009年版的3.2）； —增加了非掺杂锗单晶的要求（见第4章）； 断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化，并修订了其要求（见4.2.3 2009年版的3.3.1.1）； 修订了电阻率小于1.00cm锗单晶的少数载流子寿命要求（见4.2.4 2009年版的3.3.1.2）； 一修订了锗单晶晶体完整性的要求（见4.2.6.1 2009年版的3.3.1.4）； 一修订了直径10mm~100mm锗单晶的直径相对允许偏差的要求（见4.2.7 2009年版的3.3.2.1）； 一增加了直径大于100mm锗单晶的要求（见4.2.7）； 一删除了长度的要求（见2009年版的3.3.2.1）； 一增加了锗单晶表面质量的要求（见4.2.8）； 修订了锗单晶片几何参数的要求（见4.3.2 2009年版的3.3.2.2）； —修订了锗单晶片表面质量的要求（见4.3.3 2009年版的3.3.3）； 一修订了组批、检验项目、取样及检验结果的判定（见第6章，2009年版的第5章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、广东先导稀材股份有限公 司、有色金属技术经济研究院、北京合能阳光新能源技术有限公司. 本标准主要起草人：柯尊斌、刘新军、惠峰、朱刘、尹士平、杨素心、肖宗镛. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T5238—1985、GB/T5238-1995、GB/T5238—2009; GB/T15713—1995. SAC GB/T5238—2019 锗单晶和锗单晶片 1范围 本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书 及订货单（或合同）内容. 本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQ...
GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片.pdf
