ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5252—2020 代替GB/T5252—2006 锗单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystal germanium 2020-06-02发布 2021-04-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T5252—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T5252一2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》.本标准与GB/T5252一2006 相比，除编辑性修改外主要技术变化如下： ——修改了标准适用范围（见第1章，2006年版的第1章）； —增加了规范性引用文件（见第2章）； —修改了术语和定义（见第3章，2006年版的第2章）； —修改了方法原理的内容（见第4章，2006年版的第3章）； —将2006年版标准“试样制备”中的试剂材料修改为单独章节（见第5章，2006年版的第4章）； —修改了试样制备的要求（见第7章，2006年版的第4章）； 一增加了直径110mm、130mm、150mm错单晶的测试点位置（见8.3）； 一增加了位错腐蚀坑计数的注意事项（见8.5）； —修改了试验数据处理的内容（见第9章，2006年版的第7章）； —以位错密度1000cm-2为分界值，修改了精密度（见第10章，2006年版的第9章）； ——修改了试验报告包含的内容（见第11章，2006年版的第8章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、国合通用测 试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东 先导稀材股份有限公司、中错科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司. 本标准主要起草人：张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、 黄洪伟文. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T5252—1985、GB/T5252—2006. GB/T5252—2020 锗单晶位错密度的测试方法 1范围 本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法. 本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0cm-2~100000cm-2. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T8756晶体缺陷图谱 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T8756和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 锗单晶中位错周围的晶格会发生畸变，当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时，在晶体表面上的位错 露头处腐蚀速度较快，进而形成具有特定形状的腐蚀坑.在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有 特定形状的腐蚀坑，单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度. 5试剂和材料 除非另有说明，测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂，所用水的电阻率不小于12M0cm. 5.1铁氰化钾[K:Fe(CN)] 质量分数不小于99%. 5.2氢氧化钾(K0H) 质量分数不小于85%. 5.3氢氟酸(HF) 质量分数不小于40%. 5.4硝...
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