SJ 20984-2008 化学气相淀积(CVD)设备通用规范.pdf

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SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL6190 SJ20984—2008 化学气相淀积(CVD)设备通用规范 General specification for chemical vapor deposition (CVD)equipment 2008-04-15发布 2008-06-30实施 中华人民共和国信息产业部批准 SJ209842008 化学气相淀积(CVD)设备通用规范 1范围 本规范规定了化学气相淀积设备的要求、质量保证规定、交货准备. 本规范适用于电子行业中光电子、微电子器件的研制和生产的化学气相淀积设备,其它行业的类似 设备也可参照执行. 2引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本标准的条款.凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修 改单(不包括勘误的内容)或修订版本都不适用于本标准,但提倡使用本标准的各方探讨使用其最新版 本的可能性.凡不注日期或版次的引用文件,其最新版本适用于本标准. GB/T191包装储运图示标志 GB/T5080.7-1986设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验 方案 GB/T6388运输包装收发货标志 GB/T5226.1-2002机械安全机械电气设备第1部分:通用技术条件 GB/T13384-1992机电产品包装通用技术条件 GB/T17626.1-1998电磁兼容试验和测量技术抗扰度实验总论 SJ/T37一1996电子工业专用设备型号编制及命名方法 SJ1276-1977金属镀层和化学处理层质量检验技术要求 SJ/T10674-1995涂料涂覆通用技术条件 3要求 3.1工作环境条件 3.1.1环境温度:5℃~40℃. 3.1.2大气压强:86kPa~106kPa. 3.1.3净化级别:依器件级别分为100级、1000级、10000级和100000级. 3.1.4相对湿度:<85%,无凝露. 3.1.5电源:交流380(1士±10%)V 频率:50(1±1%)Hz. 3.1.6冷却水:软水,温度18℃~26℃,水压0.2MPa~0.4MPa 颗粒小于30μm. 3.1.7设置散热、排废、热气抽风口. 3.1.8压缩空气压力0.4MPa~0.6MPa. 3.1.9采用专用地线,接地电阻应小于或等于42. 3.2外观及结构要求 3.2.1设备表面应整齐平整,不应有明显的凹凸不平、划伤、锈蚀等缺陷,零部件应完整无缺.如有 适当装饰,应色泽协调、美观. 3.2.2表面涂覆的零部件,应符合SJ/T10674-1995的要求. 3.2.3表面有金属镀层及化学处理的零部件,应符合SJ1276-1977的要求. 3.2.4气体管道、液体管道和接口无漏气、漏液现象. 1 SJ209842008 3.2.5面板上的文字、符号和标志应清晰、准确. 3.2.6布局合理,便于操作、装拆、维修. 3.2.7配有散热、排废、抽风接口. 3.2.8各运动机构运转灵活,无卡滞现象,无异响. 3.2.9紧固件连接牢固,无松动、漏装现象. 3.2.10水冷装置的进出水畅通. 3.2.11电气连接及安全必须符合GB/T5226.1-2002的要求. 3.3电磁兼容性 电磁兼容性应符合GB/T17626.1-1998的要求. 3.4主要技术指标 3.4.1概述 化学气相淀积设备的性能指标中应包括以下条目,具体指标要求由产品规范规定. 3.4.2生产能力 a)基片尺寸; b) 单批处理数量: c) 膜厚范围: d) 膜的种类. 3.4.3膜厚均匀性 a)片内均匀性: b)片间均匀性; c)批间均匀性. ...

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