中华人民共和国电子行业标准 FL6100 SJ 21473.2-2018 军用集成电路电磁抗扰度测量方法 第2部分：辐射抗扰度测量一 TEM小室和宽带TEM小室法 Measurement of electromagnetic immunityformilitary integrated circuits -Part 2:Measurement of radiated immunity -TEM cell and wideband TEM cell method (IEC62132-2:2010，Integrated circuits -Measurement of electromagnetic immunity-Part 2:Measurement of radiated immunity--TEM cell andwideband TEM cell method,MOD) 2018-12-29发布 2019-03-01实施 国家国防科技工业局发布
SJ21473.2-2018 目次 前言 范围 2规范性引用文件 3术语、定义和缩略语 4概述.. 5试验条件 6试验设备 6.1概述. 6.2电缆. 6.3试验信号发 6.4TEM小室. 6.5GTEM小室 6.650Q 5 6.7DUT监源 7试验配置 7.1概述. 7.2试验配 7.3FMC试 8试验程序 8.1概述.. 8.2抗扰度测量 9试验报告.. 附录A（规范性附录） 场强特 附录B（资料性附录） 参考文献.
SJ 21473.2-2018 前言 本标准分为五个部分： 第1部分：通用条件和定义； 第2部分：辐射抗扰度测量一TEM小室和宽带TEM小室法； 第3部分：传导抗扰度测量一大电流注入(BCD法； 第4部分：传导抗扰度测量一射频功率直接注入法； 第5部分：传导抗扰度测量一工作台法拉第笼法。
本部分为标准的第2部分。
本部分使用重新起草法修改采用国际标准IEC62132-2:2010《集成电路-电磁抗扰度测量第2部分： 本部分与IEC62132-2：2010的技术性差异及其原因如下： 增加了缩略语（见3.2）； 一修改了公式A.1、A.5、A.6，以便将测量设备阻抗的分压影响考虑在内； 增加了电感测量（见A.3.2）条款，因为从内容上有需要，从文本结构上也能和A.2保持一致。
本部分与IEC62132-2:2010相比，主要做了下列编辑性修改： 一修改了标准名称； -根据标准编写规定，增加了公式的编号和说明。
本部分的附录A为规范性附录，附录B为资料性附录。
本部分由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子第四研究院。
本部分主要起草人：张强、李焕然、陈世钢、刘建鹏、黄晓需、叶畅、侯新伟、孔斌、张玲、梁栋 栋、朱琳。
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SJ 21473.2-2018 军用集成电路电磁抗扰度测量方法第2部分：辐射抗扰度测量一 TEM小室和宽带TEM小室法 1范围 本部分给出了使用TEM小室和宽带TEM小室对军用集成电路进行辐射抗扰度测量的方法，包括试 验设备、试验配置、试验程序等。
本部分适用频率范围为1 小室特性决定的频率范围。
2规范性引用文件 下列文件中的 文件，其随后的 修改单（不包括 成协议的各方研究 是否可使用这 GB/T 290 电路理诺 EC60050-131:2 IDT) GB/T 43 电工 S60050-161:199 SJ 2114 集成电 射测量 和宽带TEM小 室法（SJ21） IEC6 SJ21473 条件和 62132-1:2005， MOD) 3术语、定义 3.1 术语和定义 GB/T 2900.74-2009 -2003、 SJ21473.1-2018确 善和定义适用于本部分。
3.1.1 TEM模transverseelectrm 传输方向上的电场和磁场分量地横截面上辅美 量少得多的波导模式。
3.1.2 TEM波导TEM waveguide 开放或封闭的传输线系统，电磁波在其中以TEM模传输以产生满足试验需要的特定场。
3.1.3 TEM小室TEM Cell 封闭的TEM波导，通常是一个矩形同轴线。
电磁波在其中以TEM模传输以产生满足试验需要的特 定场，外导体完全包围内导体。
3.1.4 双端口TEM波导two-portTEMwaveguide 在两端分别具有一个输入/输出测量端口的TEM波导。
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