SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL 6131 SJ50033/171-2007 半导体分立器件 3DA518型硅微波脉冲功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detailspecificationfor type 3DA518 siliconmicrowavepulse power transistor 2008-01-24发布 2008-02-01实施 中华人民共和国信息产业部批准
SJ50033/171-2007 前言 本规范是GJB33A一1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范。
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。
本规范主要起草人：张鸿亮、徐守利。
SJ 50033/171-2007 半导体分立器件 3DA518型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 1范围 本规范规定了3DA518型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件)的详细要求。
按GJB33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。
2引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。
凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修 改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版 本的可能性。
凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T7581半导体分立器件外形尺寸 GJB33A-1997半导体分立器件总规范 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1总则 器件应符合本规范和GJB33A-1997规定的要求。
本规范的要求与总规范不--致时，应以本规范 为准。
3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和镀涂层 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。
3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型品体管，并具有阻抗匹配网络，采用金属陶瓷外壳封装。
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SJ50033/171-2007 3.2.3外形尺寸 外形应按GB/T7581及本规范图1的规定。
Q 20P U2 引出端极性：1-发射极；2-集电极；3-基极 单位为毫米 尺寸 代号 最小 最大 A 5.50 bx 1.50 2.00 by 1.50 2.00 c 0.07 0.15 F 1.44 1.60 G 10.03 10.29 L 2.00 ①P 3.17 3.43 2.85 3.35 q 16.38 16.64 R 1.39 1.65 U1 22.73 22.99 U2 9.65 16'6 图1 外形图 2
SJ 50033/171-2007 3.3最大额定值和主要电特性 3.3.1最大额定值 最大额定值见表1。
表1最大额定值 极限值 Pw VCBO VEBO lep VSWR-T VSWR-S Ta 型号 w v v A 360° 360° Tc=25℃ 3DA518 22 55 3.0 8.0 3:1 2.5:1 -65~200 200 ：当T>25C时，按125.7mW/K线性降额。
3.3.2主要电特性 主要电特性见表2（T=25℃)。
表2主要电特性表 Velt Icso Gp G nc Po Ra(e) 参数 hE v mA dB 8P % W K/W Vcc=35V,P=15w lc=1.8A Vc=5V l=2.0A 条件 Vcs=35V fo:960MHz~1215MHz Vc=10v lc=2.0A I=0.4A t=63μs ,D=10% t=1ms 最小 最大 圾大 最大 最小 最大 最小 最小 最大 最大 极限值 10 100 1.2 5 7.5 0.8 45 - 85 107 8.0 3.4测试要求 测试应符合GJB33A-1997及本规范的规定。
3.5标志 器件上应有如下标志： a）器件型号； b）极性标志； c）承制方标志。
4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应符合GJB33A-1997和本规范的规定。
4.2关于结构相似器件抽样的规定 在同生产线上，采用相同材料、相同工艺、相同的单胞设计（单胞采用同一套光刻掩模版制作） 制造的3DA516、3DA517和3DA518型器件，除A2、A3、A4、B3、B5和E4分组外，相同芯片批的器件可作为 结构相似器件进行逐批检验或E组鉴定检验；除C6分组外相同检验周期的器件可作为结构相似器件进行 周期检验。
在这种情况下，从一个型号或者三种型号中抽取的一组样品的实验结果...
