ICS31.080 L54 备案号：50541-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2214—2015 代替SJ/T2214.1~SJ/T2214.101982 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 Measuring methods for semiconductor photodiode and phototransistor 2015-04-30发布 2015-10-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 2015 INDARD SJ/T22142015 目 次 前言 II 1范围.. 1 2规范性引用文件. 1 3术语和定义... 3.1半导体光电二极管. 1 3.2半导体光电晶体管.. 2 3.3半导体光电二极管和光电晶体管 3 4一般要求 3 4.1总则. 3 4.2测试仪器/仪表，........ 3 4.3电源.. A 4.4测试环境条件.... 4 5详细要求 4 5.1半导体光电二极管正向电压 4 5.2半导体光电二极管暗电流... 5 5.3半导体光电二极管反向击穿电压 6 5.4半导体光电二极管结电容... .7 5.5半导体光电二极管阵列串扰. ....8 5.6半导体光电二极管反向击穿电压温度系数. ..11 5.7半导体光电二极管响应度. ..12 5.8半导体光电二极管阵列单元内响应度非均匀性 .13 5.9半导体光电二极管阵列单元间响应度非均匀性.. .....14 5.10半导体光电晶体管集电极-发射极击穿电压 .15 5.11半导体光电晶体管饱和压降.... 5.12半导体光电品体管暗电流... 16 .17 5.13 半导体光电二极管/光电品体管上升和下降时间 .18 5.14半导体光电二极管/光电晶体管光电流 .......20 I SJ/T22142015 前言 本标准代替SJ/T2214.1~2214.10一1982.本标准在SJ/T2214.1~2214.10一1982的基础上除格式 修改外主要变化如下： —增加了术语和定义（见第3章）： 一增加了半导体光电二极管阵列串扰（直流、交流）的测试方法（见5.5）： —一增加了半导体光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法（见5.6）： ——增加了半导体光电二极管响应度的测武方法见 一增加了半导体光中二极管阵列单元内响应度非均匀性面测诚方法（见5.8）； ——增加了半导体光电二极管陈列单元间响应度非均匀性的测试方法 (见5.9)： —一将原标准名称更为导体光电二极管和光电晶体管测试方法 本标准由工业和信化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位中国电子科技集团公司第四十四研究所， 本标准主要起草人：郭萍 、王波、崔大健 本标准的历次版本发布情况为： SJ2211 982: ——SJ2214.2—1982: —SJ21 1982: —SJ2214 982: SJ221451982: SJ SJ2214. 1982: SJ221471982: —SJ2214.8—198 —SJ2214.9—1982: SJ2214.10-1982 STANDARDS II ...
SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法.pdf
