ICS31.080.01 L50 备案号：50542-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2215—2015 代替SJ2215.1~2215.14—1982 半导体光电耦合器测试方法 Measuring methods for semiconductor photocouplers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 BJ) 中华人民共和国工业和信息化部发布 ANDARDE 2015 SJ/T2215—2015 目 次 前言 】范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4一般要求 6 4.1测试环境条件 4.2测试系统及仪器设 STRY AND FORMATION 6 6 5详细要求 5.1正向电压（翰 5.2正向电流 7 5.3反向电流 8 5.4反向击电压（上极管 9 5.5结电容 10 5.6集电极 发射极击穿电压 10 5.7集电极 根 SJ 饱和电 11 5.8输出截上： OLO 12 5.9电流传比 13 5.10脉冲上升时 冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时 间 15 5.11隔离电容 16 5.12隔离电阻 17 5.13隔离电压 18 5.14输出高电平电压 5.15输出低电平电压 5.16高电平电源电流 STANDARDS 19 20 21 5.17低电平电源电流 22 5.18带宽 23 5.19传递系数 24 5.20非线性度 25 5.21零位电压 26 5.22通态直流电压 27 5.23断态直流电流 28 5.24维持电流 28 5.25输入触发电流 29 I SJ/T2215—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草.本标准代替了SJ/T2215.1~2215.14一1982《半导体光 耦合器测试方法》，修订时结合了国内产品的具体情况，除编辑性修改外主要技术变化如下： ——增加了术语和定义（见第3章）： 修改了测试环境条件（见4.1），增加了测量和试验用标准大气条件（见4.1.1）、仲裁测量和 试验用标准大气条件（见4.1.2）： ——增加了对示波器的误差要求（见4.2.4）； 集电极一发射极反向击穿电压修改为集电极一发射极击穿电压（见5.6）： 输出饱和压降修改为集电极一发射极饱和电压（见5.7）： —一反向截止电流修改为输出截止电流（见5.8）： ——直流电流传输比修改为电流传输比（见5.9）： 一脉冲上升、下降、延迟、贮存时间修改为脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、 上升传输延迟时问，增加了测量原理图，细化了测量步骤（见5.10）： 隔离电容测试细化了测量步骤（见5.11.3）： ——隔离电阻测试细化了测量步骤（见5.12.3）； —一增加了输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、带宽、快递系 数、非线性度、零位电压、通态直流电压、断态直流电流、维持电流和输入触发电流的测试方 法（分别见5.14 5.15 5.16 5.17 5.18 5.19 5.20 5.21 5.22 5.23 5.24和5.25）： 一补充了测试方法的规定条件（见第5章），细化了测量步骤（见第5章）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所. 本标准主要起草人：马思华、欧熠、陈春霞、李刚毅、徐道润. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： SJ2215.1~2215.14—1982 ...
SJ/T 2215-2015 标准名称半导体光电耦合器测试方法.pdf
