ICS31.180 L54 备案号：50539-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2354—2015 代替SJ/T2354.1~2354.14—1983 PIN、雪崩光电二极管测试方法 Measuring methods for photodiodes of PIN、APD 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2354—2015 目 次 前言 Ⅱ 1范围. 1 2规范性引用文件. 3术语和定义 4一般要求.... 4.1总则....... 3 4.2测试仪器仪表. 3 4.3电源.. 4 4.4测试环境条件. 4 5详细要求.. ..4 5.1反向击穿电压 4 5.2暗电流... ..5 5.3正向电压........ 6 5.4电容.. ....7 5.5响应度.. .8 5.6光谱响应范围和峰值响应波长.. 5.7上升时间和下降时间 .10 5.8噪声等效功率 .12 5.9阵列串扰. .13 5.10反向击穿电压温度系数 ........16 5.11 3dB截止频率. .17 5.12 阵列单元间响应度非均匀性 .........19 5.13 饱和光功率 .....20 5.14倍增因子.. 23 5.15 过剩噪声因子 24 SJ/T23542015 前言 本标准代替SJ/T2354.1~2354.14-1983.本标准在SJ/T2354.1~2354.14一1983的基础上除格式修 改外主要变化如下： 一增加了术语和定义（见第3章）： -一增加了3dB截止频率的测试方法（见5.11）： 一增加了饱和光功率（直流、交流）的测试方法（见5.13）： —增加了阵列单元间响应度非均匀性（见5.12）： —将原“阵列串光因子”的测试修改为“阵列串扰（直流、交流）”的测试（见5.9）： —将原“过剩噪声指数”的测试修改为“过剩噪声因子”的测试（见5.15）； —删除了“阵列盲区宽度”（见SJ/T2354.11一1983）. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所. 本标准主要起草人：郭萍、崔大健、王波. 本标准的历次版本发布情况为： SJ2354.1-1983: SJ2354.2—1983: SJ2354.3-1983; SJ2354.41983: —SJ2354.5-1983: SJ2354.6-1983: SJ2354.71983: SJ2354.8-1983: SJ2354.9-1983: SJ2354.10—1983: SJ2354.11—1983; SJ2354.12—1983: SJ2354.13—1983: SJ2354.14—1983. II ...
SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光电二极管测试方法.pdf
