ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T12965—2018 代替GB/T12965—2005 硅单晶切割片和研磨片 Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers 2018-09-17发布 2019-06-01实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T12965-2018 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T12965一2005《硅单晶切割片和研磨片》，与GB/T12965一2005相比，除编辑性 修改外主要技术内容变化如下： 一范围中将“本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆 形硅片”改为“本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直 径不大于200mm的圆形硅单晶切割片和研磨片”（见第1章，2005年版的第1章）； 一规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964 增加了GB/T1551、 GB/T6619、GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28(见第2章，2005 年版的第2章)； 一删除了具体术语内容，改为“GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件”（见第3章，2005 年版的第3章)； 一删除了按照硅单晶生长方法进行的分类，增加了“硅片按表面取向分为常用的{100}、111}、 {110}三种”（见4.2.2 2005年版的4.1）； 一将“物理性能参数”和“晶体完整性”合并改为“理化性能”（见5.1 2005年版的5.1、5.3）； 一—增加了“电学性能”（见5.2）； 修订了50.8mm、125mm、150mm硅片的直径允许偏差，修订了100mm、125mm、150mm 直径切割片的厚度，修订了150mm和200mm直径硅片的翘曲度要求（见表1 2005年版的 表1)； —增加了硅片弯曲度的要求（见5.3表1）； 一增加了主参考面直径和切口尺寸示意图（见图1）； 一修订硅片的表面取向为“硅片的表面取向有100}、110}、{111}，常用的为{100}、{111}”（见 5.4.1 2005年版的5.4.1)； 一一增加了“未包含的其他晶向要求，由供需双方协商确定”(5.4.3)； 一删除了“硅片是否制作参考面，由用户决定”和“硅片主、副参考面取向及位置应符合表2及 表1的规定”（见2005年版的5.4.3、5.4.4）； 增加了直径不大于150mm硅片主、副参考面位置的示意图（见图2）； 修订了边缘轮廓的要求（见5.6 2005年版的5.7）； 删除了硅片每个崩边的周长不大于2mm的规定，经倒角的研磨片对崩边的要求由“ 0.3mm”修订为“无”，并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表4（见5.7.1表4 2005年版的 5.6.1); —增加了电阻率、厚度和总厚度变化、翘曲度的另一种实验方法，并明确了仲裁方法（见6.2、6.5、 6.7 2005年版的6.2、6.11、6.12)； 修订了硅片主参考面直径的测量方法（见6.8 2005年版的6.7）； 一“硅片切口尺寸的测量由供需双方确定”修订为“切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行” (见6.9 2005年版的6.8)； 一修订了检验项目，改为必检项目和供需双方协商检验的项目（见7.3.1、7.3.2 2005年版的7.3）； 一删除了破坏性检验项目的取样规定（见2005...
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