ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T16595—2019 代替GB/T16595一1996 晶片通用网格规范 Specification for a universal wafer grid 2019-03-25发布 2020-02-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T165952019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T16595一1996《晶片通用网格规范》.与GB/T16595一1996相比，除编辑性修改 外主要技术变化如下： —增加了适用范围“本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片，也适用于其他半导体材 料晶片”（见第1章）； —将第1章范围中的部分内容列入“5网格的应用”（见第5章，1996年版的第1章）； 一删除了规范性引用文件中的GB/T1554、YS/T209、SEMI M1、SEMI M2、SEMI M11 增加了 GB/T30453(见第2章，1996年版的第2章)； 一将4.1网格单元平面图的4.1.2内容修改为“网格外径的选择应考虑到晶片的边缘去除、直径 允许偏差和倒角.通常选择网格外径为合格质量区的直径，其中合格质量区的半径比晶片的 标称半径小3mm或4mm 对应的网格圆直径见表2”（见4.1.2 1996年版的4.1.2）； 一增加了针对直径150mm和200mm晶片，合格质量区半径比晶片标称半径小4mm的网格 圆直径（见表2）； 一将4.4带副参考面的晶片的内容修改为“当使用半径比晶片标称半径小3mm的合格质量区 时，网格都不会超过晶片副参考面区域的边缘，因此该网格忽略副参考面”（见4.4 1996年版 的4.4)； —增加了“5网格的应用”（见第5章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：浙江海纳半导体有限公司、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、 浙江省硅材料质量检验中心、上海合晶硅材料有限公司. 本标准主要起草人：潘金平、饶伟星、杨素心、卢立延、楼春兰、徐新华、吴雄杰、高海军、王伟棱、 郑欢欣、余俊军. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T16595—1996. GB/T16595-2019 晶片通用网格规范 1范围 本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形. 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12964硅单晶抛光片 GB/T14139硅外延片 GB/T14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T30453硅材料原生缺陷图谱 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4网格单元布局 4.1网格单元平面图 4.1.1网格以晶片中心定位，规定两种网格：一种用于不带主参考面的晶片（即晶片的主定位基准是切 口)，另一种用于带主参考面的晶片.网格由18个同心圆分割，根据每个圆的直径确定所包含的径向分 割单元数，由各个圆面积确定同心圆的相对直径，用网格外径乘以对应的相对直径，可求...
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