ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T26068—2018 代替GB/T26068一2010 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 Test method for carrier rebination lifetime in silicon wafers and silicon ingots-Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method 2018-12-28发布 2019-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T26068-2018 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义1 4方法原理 2 5干扰因素 2 6仪器设备 .....4 7试剂 6 8样品 6 9测试步骤 7 10精密度 9 11试验报告 9 附录A(资料性附录)注入水平的修正 10 附录B(资料性附录)注入水平的相关探讨 11 附录C(资料性附录)载流子复合寿命与温度的关系14 附录D(资料性附录)少数载流子复合寿命17 附录E(资料性附录)测试体复合寿命、少数载流子寿命和铁含量的进一步说明19 附录F(资料性附录)SEMI MF1535-1015中的测试方法目的和精密度23 参考文献 24 I GB/T26068-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T26068一2010《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》. 本标准与GB/T26068一2010相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下： ——将标准名称《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》改为《硅片和硅锭 载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法》； —增加了使用微波反射光电导衰减法测试单晶硅锭和铸造多晶硅片、硅锭载流子复合寿命的内 容（见第1章、9.2）； 将范围中测试样品的室温电阻率下限由“0.052cm~12cm”改为“0.05cm~102 cm” 载流子复合寿命的测试范围由“0.25us到>1ms”改为“>0.1μs” 删除了2010年版的 1.3(见第1章，2010年版的1.2、1.3)； 一规范性引用文件中增加了GB/T1551 删除了GB/T1552、SEMI MF1388、SEMI MF1530 删 除了GB/T1553一2009、YS/T679一2008中的年代号，增加了GB/T11446.1的年代号2013 (见第2章，2010年版的第2章)； —修改了术语注入水平、复合寿命、表面复合速率、体复合寿命和1/e寿命的定义（见第3章， 2010年版的第3章)； 一将2010年版1/e寿命定义的部分内容调整到干扰因素5.16 1/e寿命定义的注调整为干扰因 素5.13（见5.10、5.17 2010年版的3.6）； —增加了“载流子的扩散长度小于硅片厚度的.1倍时，可以考虑不处理样品表面，直接检测”， 表面处理方法增加了“表面持续电晕充电”（见5.1）； ——增加了推荐的测试温度以及湿度、小信号条件、载流子陷阱或耗尽区、测试点距边缘距离对测 试结果的影响（见5.5、5.6、5.9、5.18、5.20）； —将2010...
GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法.pdf
