ICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T1557—2018 代替GB/T1557一2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption 2018-09-17发布 2019-06-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T1557-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T1557一2006《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》，与GB/T1557一2006 相比，除编辑性修改外主要技术变化如下： —一范围中增加了“以低温红外设备测试时，氧含量（原子数）的测试范围从0.5X105cm-3到硅中 间隙氧的最大固溶度”（见第1章）. 一在规范性引用文件中增加了GB/T4059、GB/T4060、GB/T29057、GB/T35306(见第2章). 一在方法提要中增加了低温红外光谱仪的测试原理，并明确“低温傅里叶变换红外光谱仪测试硅 单品中氧含量的具体内容见GB/T35306”(见第4章). —一在干扰因素中增加了多品、测试环境、样品位置、测试设备对测试结果的影响（见5.1、5.8、5.9、 5.10). 一将扣除参比光谱后样品的透射光谱在1600cm-2处的透射率由“100%士0.5%”改为“100%士 5%”(见5.4 2006年版5.3). 一删除了沉淀氧浓度较高时，1230m-1处的吸收谱带对测试结果的影响（见2006年版5.5）. —将“6.3千分尺”修改为“6.3厚度测量设备”，修改设备精度大于0.01mm(见6.3 2006年版 6.3). 一将“6.4热电偶-毫伏计”修改为“6.4温度测量设备热电偶-毫伏计或其他适用于测试样品 室温度的设备”（见6.4 2006年版6.4）. 增加“6.5湿度测试设备湿度计或其他适用于测试环境湿度的设备”（见6.5）. 一将设备检查中的抛光片厚度由0.065cm改为0.085cm(见8.2.5 2006年版8.2.5). 一将“表面处理”修改为“在测试之前，应保证样品表面无氧化物”，删除了“用HF腐蚀去除表面 的氧化物”（见8.3 2006年版8.3）. 一将“厚度测量”修改为“测量被测样品和参比样品的厚度.两者中心的厚度差应小于士0.5%” (见8.4 2006年版8.4). 一将绘制透射谱图列为资料性附录（见附录A 2006年版8.7）. ——根据试验情况，修改了精密度（见第10章，2006年版第11章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、宜 昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨媚半导体材料 研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司. 本标准主要起草人：银波、夏进京、邱艳梅、刘国霞、柴欢、赵晶晶、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、 高明、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰. 本标准代替了GB/T1557一2006. GB/T1557一2006历次版本发布情况为： —GB/T1557—1989、GB/T14143—1993. I GB/T1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收...
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