GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 （DDR3 SDRAM）测试方法.pdf

ICS31.200 L56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机 存储器(DDR3 SDRAM)测试方法 Semiconductor integrated circuit- Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory (DDR3 SDRAM) 2018-06-07发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T36474-2018 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 ..1 3术语和定义 1 4一般要求 2 4.1通则 2 4.2功能验证的一般要求 2 4.3电参数测试的测试向量 2 4.4电参数测试的示波器2 4.5测试环境 .2 5详细要求 3 5.1功能验证 3 5.2时钟 3 5.3读数据参数 6 5.4写数据参数 国家图书 5.5电源电流(IDD)/数据管脚的电源电流(IDQ) 11 I GB/T36474-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电 路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司. 本标准主要起草人：孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明. 国家图书馆专用 ...