GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度.pdf

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ICS31.080.01 L40 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T4937.22-2018/IEC60749-22:2002 半导体器件机械和气候试验方法 第22部分:键合强度 Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods- Part 22:Bond strength (IEC60749-22:2002 IDT) 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T4937.222018/IEC60749-22:2002 目 次 前言 Ⅲ 1范围和目的 1.1试验说明 1 1.2试验装置(适用于方法) 1 2方法A:引线拉力(单键合点)和方法B:引线拉力(双键合点)(见附录A)1 2.1范围 ] 2.2试验的一般描述 3方法C:键合拉脱2 3.1范围 2 3.2程序 2 3.3施加的力 ....2 3.4失效判据 2 3.5失效类别 2 4方法D:键合剪切(用于倒装焊) 3 4.1范围 用3 4.2程序 3 4.3施加的力 3 4.4失效判据 4.5失效类别 .3 5方法E:推开试验和方法F:拉开试验 3 5.1范围 .3 5.2方法E程序 5.3方法F程序 4 5.4方法E和方法F的失效判据 5.5施加的力(适用于方法E和方法F) 4 6方法G:引线球剪切试验4 6.1范围 4 6.2概述 4 6.3术语和定义 5 6.4设备和材料 7 6.5程序 7 6.6可接受的试验极限值 8 7相关文件中规定以下细节 10 附录A(规范性附录)指南12 I GB/T4937.22-2018/IEC60749-22:2002 前言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成: 第1部分:总则; 第2部分:低气压; 第3部分:外部目检; 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST); 第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验; 第6部分:高温贮存; 第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析; 第8部分:密封; 第9部分:标志耐久性; 第10部分:机械冲击; 第11部分:快速温度变化双液槽法; 第12部分:扫频振动; 第13部分:盐雾; 第14部分:引出端强度(引线牢固性); 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; 第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND); 第17部分:中子辐照; 第18部分:电离辐射(总剂量); 第19部分:芯片剪切强度; 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; 第21部分:可焊性; 第22部分:键合强度; 第23部分:高温工作寿命; 第24部分:加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT); 第25部分:温度循环; 第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM); 第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); 第28部分:静电放电(ESD)敏感度试...

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