ICS29.045 H83 备案号：50545-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11488—2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率 测试方法 Test method for measuring resistivity hall coefficient and determining hall mobility in semi-insulating GaAs single crystals 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 2015 SJ/T11488—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：何秀坤、童彦 INDUSTRY CHNU SJ STANDARDS ! SJ/T11488—2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 1范围 本标准规定了半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法. 本标准适用于电阻率在10Qcm~10Qcm范围内的半绝缘砷化镓单晶材料电学参数的测量. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GBT14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 在一矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流I 在Z轴方向上加磁场B 则在垂直于电流和磁场的方 向（即Y轴方向）上产生电势差V 这一现象称为霍尔效应，V称为霍尔电压.产生霍尔效应的原因是 形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的，通过霍尔效应可 以测定半绝缘砷化镓单晶的电学参数. 5干扰因素 测量温度、欧姆接触电极制备等均会对测量结果产生影响. 6仪器 测量仪器由下列部分组成： a)霍尔测试系统.外加磁场强度0.3T~1.0T 样品测量范围内磁场均匀性优于1%，输入阻抗 低于1032，电流源精度优于1%，温度精度优于0.1℃； b)千分尺，准确度±0.01mm: c)样品架，避光. 7环境要求 ...
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