SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法.pdf

砷化镓,其他规范
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ICS29.045 H83 备案号:50547-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11490—2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的 测量方法 Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density gallium arsenide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 015 SJ/T11490—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人:章安辉、 兵、 OF INDUSTR INFORMATION SJ STANDARDS I ...

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