ICS31.080.01 L40 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11586—2016 半导体器件10keV低能X射线 总剂量辐射试验方法 10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices 2016-01-15发布 2016-06-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 2016 SJ/T115862016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准主要起草单位：工业和信息化部电子第五研究所 本标准主要起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞、师谦刘远. AND OFINDUSTRY AHLSININ SJ STANDARDS I SJ/T115862016 总剂量辐身试验方法总剂量辐照试验方法 1范围 本标准规定了使用X射线辐射源（平均能量约10keV 最大能量不超过100keV)对半导体器件（以 下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序. 本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验. 本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验. 2规范性引用文件 AND INFORA 下列文件对于本文伴的 立用是必不可少的.凡是注日期的引 注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文 具最新版本（包括的修改单）适用 A GB3102.10 核反应核电离辐射的量和单位 GB/T2900.66-2 电工学体器件和集成电路(T60050-522002) GB18871 电 离辐射防护辐射源安全基标准 GJB548B一2005徽电子器件试验方法和程 工 TEO 3术语和定义 GB3102.10和GB/T2900.66界定的以及下术语和定义适月用本文件. 3.1 吸收剂量增强absorbed-dose enhancement 吸收剂量增指材料吸收剂量相对于平衡吸收剂量的变量；通常发生在该材料与不同原子序数材料 接触的界面附近. 3.2 平衡吸收剂量equilibriain absorbed dose 平衡吸收剂量指材料内辐照感应带电粒子的能量、数量 动方向在整个体积内都处于平衡条 件下的吸收剂量. ANDA 3.3 电离辐射效应ionizing radiation effects 电离辐射效应指辐照感生的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷导致的器件电参数或性能发生变化 的现象，又称为“总剂量效应”. 3.4 时变效应time dependent effects 时变效应指在辐照试验期间和试验完成后，由于辐照感生氧化物陷阱电荷的形成和退火以及界面陷 阱电荷的形成引起的器件和电路的电参数或性能随时间的变化. 3.5 辐照评估试验radiation evaluation test 1 ...
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